| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 紫外探测器的研究背景 | 第12页 |
| 1.3 紫外探测器的研究进展 | 第12-23页 |
| 1.3.1 紫外探测器材料的种类 | 第12-13页 |
| 1.3.2 紫外探测器结构的分类 | 第13-16页 |
| 1.3.3 GaN基紫外探测器的研究进展 | 第16-17页 |
| 1.3.4 β-Ga_2O_3基紫外探测器的研究进展 | 第17-23页 |
| 1.4 本论文的选题依据和主要内容 | 第23-25页 |
| 1.4.1 本论文的选题依据 | 第23页 |
| 1.4.2 本论文的主要内容 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-30页 |
| 第二章 实验方法及表征技术 | 第30-41页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 薄膜的制备技术 | 第30-34页 |
| 2.2.1 脉冲激光沉积法 | 第31-34页 |
| 2.2.2 磁控溅射法 | 第34页 |
| 2.3 薄膜的表征方法 | 第34-37页 |
| 2.3.1 X射线衍射（XRD） | 第35页 |
| 2.3.2 紫外可见吸收光谱（UV-vis） | 第35页 |
| 2.3.3 原子力显微镜（AFM） | 第35-36页 |
| 2.3.4 扫描电子电镜（SEM） | 第36页 |
| 2.3.5 X射线能谱仪（XPS） | 第36-37页 |
| 2.4 本章小结 | 第37-38页 |
| 参考文献 | 第38-41页 |
| 第三章 GaN/Ga_2O_3pn自供电紫外探测器 | 第41-57页 |
| 3.1 引言 | 第41页 |
| 3.2 GaN/Ga_2O_3异质结的制备过程 | 第41-43页 |
| 3.2.1 前期准备 | 第41-42页 |
| 3.2.2 薄膜生长 | 第42-43页 |
| 3.3 GaN/Ga_2O_3异质结的材料表征 | 第43-46页 |
| 3.3.1 表面形貌 | 第43-44页 |
| 3.3.2 晶体结构 | 第44-45页 |
| 3.3.3 光谱分析 | 第45-46页 |
| 3.4 GaN/Ga_2O_3异质结的性能测试 | 第46-51页 |
| 3.4.1 I-V曲线 | 第46-48页 |
| 3.4.2 I-t曲线 | 第48-51页 |
| 3.5 GaN/Ga_2O_3异质结的工作原理 | 第51-53页 |
| 3.6 本章小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 第四章 GaN/Sn:Ga_2O_3pn结自供电紫外探测器 | 第57-72页 |
| 4.1 引言 | 第57页 |
| 4.2 GaN/Sn:Ga_2O_3异质结的制备过程 | 第57-58页 |
| 4.2.1 制备流程 | 第57-58页 |
| 4.2.2 薄膜生长 | 第58页 |
| 4.3 GaN/Sn:Ga_2O_3异质结的材料表征 | 第58-60页 |
| 4.3.1 表面形貌 | 第58-59页 |
| 4.3.2 晶体结构 | 第59-60页 |
| 4.4 GaN/Sn:Ga_2O_3异质结的性能测试 | 第60-68页 |
| 4.4.1 I-V曲线 | 第60-61页 |
| 4.4.2 I-t曲线 | 第61-68页 |
| 4.5 GaN/Sn: Ga_2O_3异质结的工作原理 | 第68-69页 |
| 4.6 本章总结 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第五章 结论与展望 | 第72-74页 |
| 5.1 结论 | 第72页 |
| 5.2 展望 | 第72-74页 |
| 硕士期间成果 | 第74-75页 |
| 致谢 | 第75-76页 |
