| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 SOI技术的优势 | 第10-11页 |
| 1.2 SOI技术的缺陷 | 第11-13页 |
| 1.3 类SOI技术的国内外研究状况 | 第13-17页 |
| 1.4 本文的主要研究内容 | 第17-18页 |
| 第2章 类SOI体硅MOSFET器件结构原理与设计 | 第18-27页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 器件结构参数及工艺设计 | 第18-24页 |
| 2.2.1 器件结构与参数设计 | 第18-21页 |
| 2.2.2 工艺流程 | 第21-24页 |
| 2.3 器件仿真结构建立 | 第24-26页 |
| 2.4 本章小结 | 第26-27页 |
| 第3章 SLBS NMOSFET的基本特性与短沟道效应研究 | 第27-37页 |
| 3.1 引言 | 第27页 |
| 3.2 SLBS NMOSFET器件结构和基本特性 | 第27-32页 |
| 3.2.1 SLBS NMOSFET的结构参数 | 第27-28页 |
| 3.2.2 SLBS NMOSFET的SiC层耗尽研究 | 第28-29页 |
| 3.2.3 SLBS与SOI NMOSFET基本特性仿真所用模型 | 第29-30页 |
| 3.2.4 SLBS与SOI NMOSFET的基本特性对比 | 第30-32页 |
| 3.3 短沟道效应 | 第32-35页 |
| 3.4 体偏置效应 | 第35-36页 |
| 3.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第4章 SLBS NMOSFET的自加热与单粒子辐照效应研究 | 第37-48页 |
| 4.1 引言 | 第37页 |
| 4.2 自加热效应 | 第37-42页 |
| 4.2.1 自加热效应的基本原理 | 第37页 |
| 4.2.2 自加热效应的仿真模型 | 第37-38页 |
| 4.2.3 边界条件 | 第38-39页 |
| 4.2.4 自加热效应仿真结果分析 | 第39-42页 |
| 4.3 单粒子辐射效应 | 第42-47页 |
| 4.3.1 单粒子效应原理 | 第42-43页 |
| 4.3.2 单粒子效应仿真模型 | 第43-44页 |
| 4.3.3 单粒子效应仿真结果分析 | 第44-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第5章 SLBS MOSFET的热载流子与NBTI效应研究 | 第48-64页 |
| 5.1 引言 | 第48页 |
| 5.2 热载流子效应 | 第48-57页 |
| 5.2.1 热载流子效应的基本原理 | 第48页 |
| 5.2.2 热载流子效应的仿真模型 | 第48-49页 |
| 5.2.3 热载流子效应的仿真结果分析 | 第49-57页 |
| 5.3 NBTI效应 | 第57-63页 |
| 5.3.1 NBTI效应的基本原理 | 第57页 |
| 5.3.2 模拟环境的建立 | 第57-58页 |
| 5.3.3 仿真结果分析 | 第58-63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-72页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文和取得的科研成果 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73页 |
