| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第16-44页 |
| 1.1 引言 | 第16页 |
| 1.2 废弃液晶面板回收处理所面临的问题 | 第16-19页 |
| 1.2.1 直接填埋会浪费大量资源 | 第17-18页 |
| 1.2.2 不当回收会引发环境问题 | 第18-19页 |
| 1.3 液晶面板的结构与组分分析 | 第19-23页 |
| 1.3.1 液晶面板的物理性质与微观结构 | 第19-20页 |
| 1.3.2 液晶面板的物质组成与物相鉴定 | 第20-23页 |
| 1.4 废弃液晶面板的回收处理技术研究进展 | 第23-36页 |
| 1.4.1 有机物的回收处理 | 第25-32页 |
| 1.4.1.1 焚烧法 | 第25-27页 |
| 1.4.1.2 有机溶剂法 | 第27页 |
| 1.4.1.3 热冲击法 | 第27-28页 |
| 1.4.1.4 超临界法 | 第28-29页 |
| 1.4.1.5 等离子法 | 第29-30页 |
| 1.4.1.6 水热法 | 第30页 |
| 1.4.1.7 热解法 | 第30-32页 |
| 1.4.2 稀贵金属铟的回收处理 | 第32-36页 |
| 1.4.2.1 酸洗法 | 第32-34页 |
| 1.4.2.2 电蚀刻法 | 第34-35页 |
| 1.4.2.3 亚临界水法 | 第35页 |
| 1.4.2.4 氯化冶金法 | 第35-36页 |
| 1.5 废弃液晶面板处理工艺的选择 | 第36-38页 |
| 1.6 研究目标与研究内容 | 第38-40页 |
| 1.7 研究方法与技术路线 | 第40-44页 |
| 第二章 实验原料与设备 | 第44-52页 |
| 2.1 引言 | 第44页 |
| 2.2 实验原料 | 第44-45页 |
| 2.3 实验仪器与设备 | 第45-52页 |
| 2.3.1 实验仪器设备 | 第45-46页 |
| 2.3.2 氮气热解设备 | 第46-47页 |
| 2.3.3 真空热解设备 | 第47-48页 |
| 2.3.4 真空碳还原冶金设备 | 第48-49页 |
| 2.3.5 真空氯化冶金设备 | 第49-52页 |
| 第三章 废弃液晶面板有机材料的氮气热解 | 第52-66页 |
| 3.1 引言 | 第52页 |
| 3.2 氮气热重分析 | 第52-53页 |
| 3.3 氮气热解实验 | 第53-58页 |
| 3.3.1 氮气热解实验结果 | 第54-55页 |
| 3.3.2 氮气热解产物分析 | 第55-58页 |
| 3.4 氮气热解机理分析 | 第58-65页 |
| 3.4.1 化学键理论 | 第58-60页 |
| 3.4.2 氮气热解反应路径 | 第60-65页 |
| 3.4.2.1 液晶的热解路径 | 第61-63页 |
| 3.4.2.2 偏光膜的热解路径 | 第63-65页 |
| 3.5 小结 | 第65-66页 |
| 第四章 废弃液晶面板有机材料的真空热解 | 第66-108页 |
| 4.1 引言 | 第66页 |
| 4.2 真空热解动力学 | 第66-77页 |
| 4.2.1 真空热重 | 第67-70页 |
| 4.2.2 真空热解动力学 | 第70-77页 |
| 4.2.2.1 动力学基本方程 | 第70-72页 |
| 4.2.2.2 真空热解动力学参数求解 | 第72-77页 |
| 4.3 真空热解工艺 | 第77-94页 |
| 4.3.1 真空热解工艺单因素实验 | 第80-84页 |
| 4.3.1.1 系统压力的影响 | 第80-81页 |
| 4.3.1.2 加热终温的影响 | 第81-82页 |
| 4.3.1.3 保温时间的选择 | 第82-84页 |
| 4.3.2 真空热解工艺参数的优化 | 第84-94页 |
| 4.3.2.1 响应面法基本原理 | 第84-86页 |
| 4.3.2.2 中心复合实验设计 | 第86-88页 |
| 4.3.2.3 基于响应面方法的分析 | 第88-93页 |
| 4.3.2.4 参数优化结果 | 第93-94页 |
| 4.4 真空热解产物分析表征 | 第94-100页 |
| 4.4.1 热解油成分分析 | 第94-98页 |
| 4.4.2 热解气成分分析 | 第98-100页 |
| 4.5 真空热解机理 | 第100-104页 |
| 4.6 真空热解产物的利用途径 | 第104-105页 |
| 4.7 氮气热解与真空热解比较 | 第105-106页 |
| 4.8 小结 | 第106-108页 |
| 第五章 废弃液晶面板的真空碳还原提铟 | 第108-128页 |
| 5.1 引言 | 第108页 |
| 5.2 金属氧化物的真空还原反应 | 第108-109页 |
| 5.3 氧化铟真空碳还原反应的热力学分析 | 第109-110页 |
| 5.4 铟锡分离的可行性判据 | 第110-113页 |
| 5.5 纯氧化铟的真空碳还原提铟 | 第113-119页 |
| 5.5.1 系统压力对铟回收率的影响 | 第113-115页 |
| 5.5.2 加热温度对铟回收率的影响 | 第115页 |
| 5.5.3 碳粉添加量对铟回收率的影响 | 第115-116页 |
| 5.5.4 加热时间对铟回收率的影响 | 第116-117页 |
| 5.5.5 正交实验研究 | 第117-119页 |
| 5.6 氧化铟真空碳还原产物分析 | 第119-120页 |
| 5.7 含铟玻璃粉的真空碳还原提铟 | 第120-126页 |
| 5.7.1 碳粉添加量对含铟玻璃粉中铟回收率的影响 | 第121-122页 |
| 5.7.2 玻璃粉粒径和反应时间对铟回收率的影响 | 第122-123页 |
| 5.7.3 氧化锡对铟回收氯的影响 | 第123-124页 |
| 5.7.4 玻璃粉提铟产物与残余物分析 | 第124-126页 |
| 5.8 小结 | 第126-128页 |
| 第六章 废弃液晶面板的真空氯化提铟 | 第128-160页 |
| 6.1 引言 | 第128页 |
| 6.2 氯化剂的选择及其特性 | 第128-132页 |
| 6.2.1 氯化剂的选择 | 第128-129页 |
| 6.2.2 氯化铵的性质与分解规律 | 第129-132页 |
| 6.3 氧化铟锡纯物质的真空氯化提铟 | 第132-138页 |
| 6.3.1 氯化铵添加量对氧化铟和氧化锡回收率的影响 | 第133-134页 |
| 6.3.2 反应温度对氧化铟回收率的影响 | 第134-135页 |
| 6.3.3 加热时间对氧化铟回收率的影响 | 第135-136页 |
| 6.3.4 不同气氛对氧化铟和氧化锡回收率的影响 | 第136-137页 |
| 6.3.5 氯化铟与氯化铵的分别回收 | 第137-138页 |
| 6.4 真空氯化提铟的热力学分析与氯化机理 | 第138-143页 |
| 6.4.1 氧化铟锡氯化反应的吉布斯自由能 | 第139-140页 |
| 6.4.2 氧化铟锡氯化反应的稳定优势区判定 | 第140-143页 |
| 6.5 含铟玻璃粉的真空氯化提铟 | 第143-154页 |
| 6.5.1 玻璃粉真空氯化提铟的单因素实验 | 第143-146页 |
| 6.5.1.1 氯化铵添加量对铟回收率的影响 | 第143-144页 |
| 6.5.1.2 玻璃粉粒径对铟回收率的影响 | 第144-146页 |
| 6.5.2 玻璃粉真空氯化提铟的参数优化 | 第146-154页 |
| 6.5.2.1 中心复合实验设计 | 第146-148页 |
| 6.5.2.2 基于响应面方法的分析 | 第148-153页 |
| 6.5.2.3 参数优化结果 | 第153-154页 |
| 6.6 氯化铟的收集与转化 | 第154-156页 |
| 6.6.1 氯化铟的收集 | 第154页 |
| 6.6.2 氯化铟的转化 | 第154-156页 |
| 6.7 真空碳还原提铟与真空氯化提铟比较 | 第156-157页 |
| 6.8 小结 | 第157-160页 |
| 第七章 废弃液晶面板回收工艺的建立与中试设备研发 | 第160-168页 |
| 7.1 引言 | 第160页 |
| 7.2 废弃液晶面板回收工艺的建立 | 第160-162页 |
| 7.3 中试设备的研发 | 第162-164页 |
| 7.4 中试实验与物料平衡分析 | 第164-167页 |
| 7.5 小结 | 第167-168页 |
| 第八章 环境与经济效益分析 | 第168-174页 |
| 8.1 引言 | 第168页 |
| 8.2 真空热解有机材料与真空氯化提铟的环境效益分析 | 第168-169页 |
| 8.3 真空热解与真空氯化提铟的经济效益分析 | 第169-173页 |
| 8.3.1 成本分析 | 第170-172页 |
| 8.3.2 收益分析 | 第172-173页 |
| 8.4 小结 | 第173-174页 |
| 结论与展望 | 第174-178页 |
| 结论 | 第174-175页 |
| 展望 | 第175-178页 |
| 创新点 | 第178-180页 |
| 科研成果及获奖情况 | 第180-182页 |
| 已发表论文 | 第180页 |
| 在审论文 | 第180-181页 |
| 已授权专利 | 第181页 |
| 申请专利 | 第181页 |
| 博士期间获奖情况 | 第181-182页 |
| 致谢 | 第182-184页 |
| 参考文献 | 第184-192页 |
| 附件 | 第192页 |
