| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第12-24页 |
| 1.1 环丙沙星 | 第12-13页 |
| 1.1.1 环丙沙星使用现状与滥用危害 | 第12页 |
| 1.1.2 环丙沙星残留的治理与去除方法 | 第12-13页 |
| 1.2 光催化技术 | 第13-17页 |
| 1.2.1 光催化技术概述 | 第13页 |
| 1.2.2 光催化技术原理 | 第13-14页 |
| 1.2.3 普通半导体光催化材料 | 第14页 |
| 1.2.4 磁性半导体光催化材料 | 第14-17页 |
| 1.2.5 磁性半导体光催化材料在水处理中的局限性 | 第17页 |
| 1.3 分子印迹技术 | 第17-22页 |
| 1.3.1 分子印迹技术概述 | 第17-18页 |
| 1.3.2 分子印迹技术原理 | 第18-19页 |
| 1.3.3 分子印迹技术在光催化领域的应用 | 第19-22页 |
| 1.4 课题来源背景、目的意义和研究内容 | 第22-24页 |
| 1.4.1 课题的来源背景 | 第22页 |
| 1.4.2 课题的目的意义 | 第22页 |
| 1.4.3 课题的研究内容 | 第22-24页 |
| 第二章 ZnFe_2O_4@ZnO印迹复合光催化剂的制备及其在选择性降解环丙沙星残留中的应用研究 | 第24-42页 |
| 2.1 引言 | 第24-25页 |
| 2.2 实验部分 | 第25-29页 |
| 2.2.1 实验药品 | 第25页 |
| 2.2.2 实验仪器 | 第25-26页 |
| 2.2.3 材料制备 | 第26-27页 |
| 2.2.4 材料性能测试 | 第27-29页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第29-41页 |
| 2.3.1 材料表征 | 第29-35页 |
| 2.3.2 合成因素研究 | 第35-36页 |
| 2.3.3 材料选择性研究 | 第36-38页 |
| 2.3.4 材料稳定性研究 | 第38-39页 |
| 2.3.5 机理研究 | 第39-41页 |
| 2.4 本章总结 | 第41-42页 |
| 第三章 ZnFe_2O_4/PPy印迹复合光催化剂的制备及其在选择性降解环丙沙星残留中的应用研究 | 第42-57页 |
| 3.1 引言 | 第42-43页 |
| 3.2 实验部分 | 第43-44页 |
| 3.2.1 实验药品 | 第43页 |
| 3.2.2 实验仪器 | 第43页 |
| 3.2.3 材料制备 | 第43-44页 |
| 3.2.4 材料性能测试 | 第44页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第44-56页 |
| 3.3.1 材料表征 | 第44-50页 |
| 3.3.2 合成因素研究 | 第50-52页 |
| 3.3.3 材料选择性研究 | 第52-54页 |
| 3.3.4 材料稳定性研究 | 第54页 |
| 3.3.5 机理研究 | 第54-56页 |
| 3.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章 ZnFe_2O_4-Ag/PATP印迹复合光催化剂的制备及其在选择性降解环丙沙星残留中的应用研究 | 第57-70页 |
| 4.1 引言 | 第57-58页 |
| 4.2 实验部分 | 第58-59页 |
| 4.2.1 实验药品 | 第58页 |
| 4.2.2 实验仪器 | 第58页 |
| 4.2.3 材料制备 | 第58-59页 |
| 4.2.4 材料性能测试 | 第59页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第59-69页 |
| 4.3.1 材料表征 | 第59-64页 |
| 4.3.2 合成因素研究 | 第64-65页 |
| 4.3.3 材料选择性研究 | 第65-67页 |
| 4.3.4 材料稳定性研究 | 第67-68页 |
| 4.3.5 机理研究 | 第68-69页 |
| 4.4 本章总结 | 第69-70页 |
| 第五章 结论、创新点及展望 | 第70-72页 |
| 5.1 结论 | 第70-71页 |
| 5.2 创新点 | 第71页 |
| 5.3 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读硕士期间的主要研究成果 | 第85-86页 |
| 附录 | 第86-87页 |
| 附录A 中英文符号对照表 | 第86-87页 |
| 附录B 中缩写符号对照表 | 第87页 |
