| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 β-FeSi_2的研究背景 | 第5-15页 |
| 引言 | 第5-6页 |
| 1.1 Fe-Si相图及FeSi_2相 | 第6-7页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第7-8页 |
| 1.3 β-FeSi_2薄膜的制备方法 | 第8-9页 |
| 1.4 β-FeSi_2/Si的界面取向关系 | 第9-13页 |
| 1.5 β-FeSi_2掺杂 | 第13-14页 |
| 1.6 目前存在的问题及本文的研究目标 | 第14-15页 |
| 第二章 样品制备 | 第15-19页 |
| 引言 | 第15页 |
| 2.1 衬底基片的处理 | 第15页 |
| 2.2 样品的制备 | 第15-17页 |
| 2.2.1 磁控溅射仪简介 | 第15-17页 |
| 2.2.2 成核机理 | 第17页 |
| 2.3.制备过程 | 第17-18页 |
| 2.4 本章小结 | 第18-19页 |
| 第三章 退火温度对β-FeSi_2薄膜生长的影响研究 | 第19-31页 |
| 3.1 XRD分析 | 第19-22页 |
| 3.1.1 X射线衍射仪原理 | 第19-20页 |
| 3.1.2 同一退火时间不同温度退火的X射线谱比较 | 第20-22页 |
| 3.2 SEM分析 | 第22-24页 |
| 3.2.1 SEM扫描电镜 | 第22页 |
| 3.2.2 同一退火时间2h下不同退火温度的SEM分析 | 第22-24页 |
| 3.3 与IBS法制备的样品比较分析 | 第24-30页 |
| 3.3.1 与IBS的横向比较分析 | 第24-27页 |
| 3.3.2 与IBS的纵向比较分析 | 第27-30页 |
| 3.4 结论 | 第30-31页 |
| 第四章 结论 | 第31-32页 |
| 致谢 | 第32-33页 |
| 参考文献 | 第33-37页 |
| 附录:发表论文及参加课题 | 第37-38页 |
