| 摘要 | 第3-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 引言 | 第9-10页 |
| 1.2 KMC法模拟材料生长的研究现状 | 第10-14页 |
| 1.3 本论文的主要研究工作 | 第14-15页 |
| 第二章 Ge/Si量子点材料生长的基本理论和模拟方法 | 第15-29页 |
| 2.1 量子点材料的生长模式及制备工艺 | 第15-18页 |
| 2.1.1 自组织量子点的生长模式 | 第15-16页 |
| 2.1.2 量子点材料制备工艺 | 第16-18页 |
| 2.2 计算机模拟量子点生长方法简介 | 第18-23页 |
| 2.2.1 KMC法简介 | 第18-20页 |
| 2.2.2 KMC法模拟中涉及的物理模型及周期性边界条件 | 第20-23页 |
| 2.3 MATLAB编程软件的介绍 | 第23-29页 |
| 2.3.1 MATLAB简介 | 第23-24页 |
| 2.3.2 MATLAB软件的特点 | 第24-25页 |
| 2.3.3 MATLAB软件在模拟材料生长中的应用 | 第25-29页 |
| 第三章 自组装量子点材料生长初期的模拟研究 | 第29-39页 |
| 3.1 温度对二维Ge纳米岛生长影响的模拟研究 | 第29-31页 |
| 3.2 退火时间和原子扩散步数对二维Ge纳米岛影响的模拟研究 | 第31-36页 |
| 3.2.1 退火时间对二维Ge纳米岛尺寸以及空间分布的影响 | 第32-34页 |
| 3.2.2 单个原子的扩散步数对二维Ge纳米岛的影响 | 第34-36页 |
| 3.3 原子沉积量对二维Ge纳米岛的密度以及尺寸大小的影响 | 第36-37页 |
| 3.4 本章总结 | 第37-39页 |
| 第四章 KMC法模拟图形衬底上二维Ge纳米岛生长 | 第39-55页 |
| 4.1 引言 | 第39-40页 |
| 4.2 生长基本参数对量子点成核质量的影响 | 第40-48页 |
| 4.2.1 图形衬底上温度对量子点成核的影响 | 第40-43页 |
| 4.2.2 沉积量对二维Ge纳米岛生长的影响 | 第43-45页 |
| 4.2.3 沉积速率对二维Ge纳米岛生长的影响 | 第45-48页 |
| 4.3 生长停顿对二维Ge纳米岛生长的影响 | 第48-52页 |
| 4.3.1 生长停顿的时间对量子点成核的影响 | 第48-50页 |
| 4.3.2 生长停顿次数对二维Ge纳米岛生长的影响 | 第50-52页 |
| 4.4 沉积原子剩余能量对二维Ge纳米岛生长影响的模拟研究 | 第52-54页 |
| 4.5 本章总结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 5.1 总结 | 第55-56页 |
| 5.2 展望 | 第56-57页 |
| 附录 研究生期间发表的文章及参与的项目 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-67页 |
| 致谢 | 第67页 |
