| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| ABSTRACT | 第7页 |
| 1 引言 | 第10-18页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展 | 第10-11页 |
| 1.2 碳化硅材料的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 碳化硅功率器件应用研究现状 | 第12-15页 |
| 1.4 本文研究的主要内容 | 第15-18页 |
| 2 SiC MOSFET静态特性研究 | 第18-34页 |
| 2.1 门极阈值电压 | 第19-22页 |
| 2.1.1 影响阈值电压的因素 | 第19-21页 |
| 2.1.2 测量阈值电压实验波形 | 第21-22页 |
| 2.2 寄生电容 | 第22-31页 |
| 2.2.1 寄生电容对开关特性的影响 | 第23-27页 |
| 2.2.2 Si MOSFET与SiC MOSFET寄生电容的对比 | 第27-29页 |
| 2.2.3 寄生电容对开关过程影响的仿真 | 第29-31页 |
| 2.3 输出特性 | 第31-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 3 SiC MOSFET动态特性的研究 | 第34-58页 |
| 3.1 双脉冲测试平台 | 第34-47页 |
| 3.1.1 双脉冲测试平台原理 | 第35-37页 |
| 3.1.2 主电路参数设计 | 第37-38页 |
| 3.1.3 驱动电路设计 | 第38-43页 |
| 3.1.4 保护电路设计 | 第43-47页 |
| 3.2 动态开关特性对比 | 第47-50页 |
| 3.3 实验问题与解决 | 第50-54页 |
| 3.4 SiC MOSFET开关损耗分析 | 第54-56页 |
| 3.5 本章小结 | 第56-58页 |
| 4 SiC MOSFET的应用 | 第58-72页 |
| 4.1 SiC MOSFET应用拓扑选择 | 第58-59页 |
| 4.2 电路的基本原理 | 第59-62页 |
| 4.3 主电路设计 | 第62-66页 |
| 4.4 实验波形 | 第66-70页 |
| 4.5 本章小结 | 第70-72页 |
| 5 总结 | 第72-74页 |
| 参考文献 | 第74-78页 |
| 作者简历 | 第78-82页 |
| 学位论文数据集 | 第82页 |