超薄MoS2薄膜的CVD制备及表征
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 1 绪论 | 第10-22页 |
| 1.1 研究背景 | 第10-11页 |
| 1.2 过渡金属硫化物 | 第11-13页 |
| 1.3 二硫化钼 | 第13-21页 |
| 1.3.1 二硫化钼的基本性质 | 第13-14页 |
| 1.3.2 MoS_2的晶体结构 | 第14页 |
| 1.3.3 超薄MoS_2的性能应用 | 第14-17页 |
| 1.3.4 超薄二硫化钼薄膜的制备 | 第17-21页 |
| 1.4 本章小结 | 第21-22页 |
| 2 薄膜表征技术 | 第22-28页 |
| 2.1 X射线衍射仪(XRD) | 第22-23页 |
| 2.2 原子力显微镜 | 第23-25页 |
| 2.3 光致发光谱(PL) | 第25-26页 |
| 2.4 输运性能测试 | 第26-27页 |
| 2.5 本章小结 | 第27-28页 |
| 3 实验 | 第28-34页 |
| 3.1 实验材料及仪器 | 第28-29页 |
| 3.2 薄膜的制备 | 第29-31页 |
| 3.2.1 准备工作 | 第29页 |
| 3.2.2 制备MoS_2薄膜 | 第29-31页 |
| 3.3 薄膜表征 | 第31-33页 |
| 3.3.1 XRD测试 | 第31页 |
| 3.3.2 AFM测试 | 第31-32页 |
| 3.3.3 PL测试 | 第32页 |
| 3.3.4 输运性能测试 | 第32-33页 |
| 3.4 本章小结 | 第33-34页 |
| 4 实验结果与分析 | 第34-54页 |
| 4.1 硅片倾斜角度对薄膜的影响 | 第34-35页 |
| 4.2 加热电压对薄膜的影响 | 第35-39页 |
| 4.3 加热时间对薄膜的影响 | 第39-41页 |
| 4.4 反应物重量对薄膜的影响 | 第41-43页 |
| 4.5 薄膜厚度分布及表面形貌 | 第43-48页 |
| 4.6 电学测试结果及分析 | 第48-53页 |
| 4.7 本章小结 | 第53-54页 |
| 5 结论 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 附录 | 第61-63页 |
