| 致谢 | 第4-5页 |
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 1 绪论 | 第9-23页 |
| 1.1 石墨烯简介 | 第9-11页 |
| 1.2 石墨烯的工程应用潜力 | 第11-14页 |
| 1.2.1 石墨烯晶体管 | 第11-12页 |
| 1.2.2 石墨烯透明电极 | 第12-13页 |
| 1.2.3 石墨烯光电器件 | 第13-14页 |
| 1.2.4 石墨烯高敏分子传感器 | 第14页 |
| 1.3 石墨烯功能化合物及其他低维材料简介 | 第14-16页 |
| 1.3.1 氟化石墨烯简介 | 第14-15页 |
| 1.3.2 单层碳化硅简介 | 第15-16页 |
| 1.4 第一性原理计算基础理论 | 第16-19页 |
| 1.4.1 密度泛函(DFT)理论 | 第16-19页 |
| 1.4.2 密度泛函理论加非平衡格林函数(DFT+NEGF) | 第19页 |
| 1.5 仿真计算软件介绍 | 第19-22页 |
| 1.5.1 第一性原理计算软件SIESTA | 第19-20页 |
| 1.5.2 第一性原理计算软件VASP | 第20-22页 |
| 1.6 论文内容概要 | 第22-23页 |
| 2 单层碳化硅p-n结传输特性研究 | 第23-33页 |
| 2.1 研究背景 | 第23-26页 |
| 2.2 计算方法及模型建立 | 第26-27页 |
| 2.2.1 基于单层SiC的p-n结模型 | 第26-27页 |
| 2.2.2 计算参数设置 | 第27页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第27-32页 |
| 2.3.1 基于单层SiC的p-n结传输特性 | 第27-28页 |
| 2.3.2 基于单层SiC的p-n结传输特性的理论分析 | 第28-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 3 氟化石墨烯的氟化机理分析及其在分子传感器中的应用探究 | 第33-63页 |
| 3.1 氟化石墨烯氟化机理分析 | 第33-43页 |
| 3.1.1 研究背景 | 第33-38页 |
| 3.1.2 计算参数设置 | 第38-39页 |
| 3.1.3 结果与讨论 | 第39-42页 |
| 3.1.4 工作小结 | 第42-43页 |
| 3.2 氟化石墨烯在分子传感器中的应用探究 | 第43-63页 |
| 3.2.1 背景介绍 | 第43-47页 |
| 3.2.2 计算参数设置 | 第47-49页 |
| 3.2.3 氟化石墨烯与石墨烯堆叠结构探究 | 第49-55页 |
| 3.2.4 氟化石墨烯在分子传感器中的应用探究 | 第55-62页 |
| 3.2.5 本章小结 | 第62-63页 |
| 4 工作总结与展望 | 第63-67页 |
| 4.1 工作总结 | 第63-65页 |
| 4.2 对于第一性原理计算工作的展望 | 第65-67页 |
| 参考文献 | 第67-77页 |
| 作者简历 | 第77页 |
| 攻读研究生期间发表的学术论文 | 第77页 |
