半导体自旋霍尔效应与石墨烯一维零线模态研究
| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-17页 |
| 第2章 半导体中的自旋霍尔效应 | 第17-51页 |
| 2.1 自旋轨道耦合 | 第17-24页 |
| 2.1.1 kp方法 | 第18-20页 |
| 2.1.2 内禀自旋轨道耦合 | 第20-23页 |
| 2.1.3 外禀自旋轨道耦合 | 第23-24页 |
| 2.2 内禀自旋霍尔效应 | 第24-44页 |
| 2.2.1 自旋流的定义 | 第24-25页 |
| 2.2.2 电子内禀自旋霍尔效应 | 第25-38页 |
| 2.2.3 空穴内禀自旋霍尔效应 | 第38-44页 |
| 2.3 外禀自旋霍尔效应 | 第44-50页 |
| 2.3.1 偏散射效应 | 第44-47页 |
| 2.3.2 侧跃效应 | 第47-50页 |
| 2.4 三种效应的简单比较 | 第50-51页 |
| 第3章 密度矩阵框架下自旋霍尔效应 | 第51-81页 |
| 3.1 内禀自旋霍尔效应 | 第54-63页 |
| 3.1.1 内禀自旋霍尔效应中的散射项 | 第54-56页 |
| 3.1.2 动力学方程的求解 | 第56-60页 |
| 3.1.3 普适自旋霍尔电导与顶角修正 | 第60-63页 |
| 3.2 外禀侧跃自旋霍尔效应 | 第63-68页 |
| 3.2.1 侧跃效应的散射项 | 第63-65页 |
| 3.2.2 侧跃自旋霍尔电导 | 第65-66页 |
| 3.2.3 速度算符中的抵消效应 | 第66-68页 |
| 3.3 反常自旋进动 | 第68-81页 |
| 3.3.1 散射项的获得 | 第71-72页 |
| 3.3.2 动力学方程的求解 | 第72-75页 |
| 3.3.3 反常进动自旋霍尔电导 | 第75-81页 |
| 第4章 双层石墨烯中的一维零线模态 | 第81-107页 |
| 4.1 能谷霍尔效应 | 第81-83页 |
| 4.2 一维零线模态 | 第83-87页 |
| 4.3 零线模态的手征输运 | 第87-93页 |
| 4.3.1 一维零线模的零弯曲阻力输运特性 | 第88-91页 |
| 4.3.2 杂质散射的影响 | 第91-93页 |
| 4.4 零线模态中器件的几何效应 | 第93-107页 |
| 4.4.1 极板的准直问题 | 第93-96页 |
| 4.4.2 零位线取向的影响 | 第96-99页 |
| 4.4.3 拓扑缺陷的影响 | 第99-107页 |
| 第5章 总结与展望 | 第107-109页 |
| 参考文献 | 第109-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第117页 |
