摘要 | 第4-5页 |
Abstract | 第5-6页 |
1 绪论 | 第9-16页 |
1.1 受控热核聚变 | 第9-10页 |
1.2 托卡马克装置 | 第10-13页 |
1.3 托卡马克中等离子体破裂和逃逸电子 | 第13-15页 |
1.4 本文内容安排 | 第15-16页 |
2 逃逸电子产生与输运理论 | 第16-25页 |
2.1 逃逸电子产生机制 | 第16-21页 |
2.1.1 初级产生机制 | 第16-19页 |
2.1.2 次级产生机制 | 第19-21页 |
2.2 电磁扰动引起的逃逸电子输运理论 | 第21-23页 |
2.3 关于托卡马克等离子体中逃逸电子的国内外研究 | 第23-25页 |
3 HL-2A托卡马克大破裂期间逃逸电子产生 | 第25-36页 |
3.1 物理模型 | 第25-28页 |
3.2 结果与讨论 | 第28-35页 |
3.2.1 环形效应的影响 | 第29-32页 |
3.2.2 有效离子电荷数的影响 | 第32-35页 |
3.3 本章小结 | 第35-36页 |
4 HL-2A托卡马克大破裂期间逃逸电子的产生与扩散 | 第36-45页 |
4.1 物理模型 | 第36-37页 |
4.2 结果与讨论 | 第37-44页 |
4.2.1 热猝灭时间 | 第37-39页 |
4.2.2 磁扰动的影响 | 第39-44页 |
4.3 本章小结 | 第44-45页 |
结论 | 第45-46页 |
展望 | 第46-48页 |
参考文献 | 第48-52页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第52-53页 |
致谢 | 第53-54页 |