| 中文摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 前言 | 第11-30页 |
| 1.1 引言 | 第11-12页 |
| 1.2 有毒有害气体（CO H2S）测定的主要方法及一些产品 | 第12-18页 |
| 1.2.1 国家、行业标准规定的测定方法 | 第12-13页 |
| 1.2.2 常用快速化学分析方法 | 第13-14页 |
| 1.2.3 现场常用硫化氢监测仪器 | 第14-16页 |
| 1.2.4 电化学法 | 第16-18页 |
| 1.2.5 其他检测方法 | 第18页 |
| 1.3 气体传感器 | 第18-29页 |
| 1.3.1 气体传感器的感应机理 | 第18-23页 |
| 1.3.2 半导体气体传感器的性能参数 | 第23-24页 |
| 1.3.3 影响半导体气体传感器灵敏度的因素 | 第24-27页 |
| 1.3.4 半导体气体传感器器件结构 | 第27-29页 |
| 1.3.5 气体传感器的类型 | 第29页 |
| 1.4 本文的主要工作 | 第29-30页 |
| 第二章 半导体金属氧化物多孔薄膜气体传感器的制备表征和测试 | 第30-35页 |
| 2.1 引言 | 第30页 |
| 2.2 实验过程 | 第30-31页 |
| 2.2.1 实验材料与仪器 | 第30-31页 |
| 2.2.2 气敏材料的制备方法 | 第31页 |
| 2.3 材料表征和测试 | 第31-32页 |
| 2.3.1 扫描电镜（SEM） | 第31页 |
| 2.3.2 X-射线粉末衍射仪（XRD） | 第31页 |
| 2.3.3 扫描探针显微镜（AFM） | 第31-32页 |
| 2.3.4 光电子能谱（XPS） | 第32页 |
| 2.3.5 表面气体吸附（BET） | 第32页 |
| 2.4 器件的制备和性能测试 | 第32-34页 |
| 2.4.1 气敏器件的制备 | 第32页 |
| 2.4.2 性能测试装置的搭建 | 第32页 |
| 2.4.3 气敏性能的测试 | 第32-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第三章 基于半导体金属氧化物单层多孔薄膜传感器件对 CO 的气敏研究 | 第35-42页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验过程 | 第35-36页 |
| 3.2.1 实验材料与仪器 | 第35-36页 |
| 3.2.2 气敏器件的制备 | 第36页 |
| 3.2.3 测试与表征 | 第36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-41页 |
| 3.3.1 形貌及结构性质表征 | 第36-39页 |
| 3.3.2 单层多孔薄膜器件的气敏性能研究 | 第39-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 基于半导体氧化物单层掺杂薄膜气体传感器对 H2S 的气敏研究 | 第42-54页 |
| 4.1 引言 | 第42页 |
| 4.2 实验部分 | 第42-44页 |
| 4.2.1 实验材料和仪器 | 第42-43页 |
| 4.2.2 气敏器件的制备 | 第43页 |
| 4.2.3 测试及一些表征 | 第43-44页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第44-52页 |
| 4.3.1 结构与形貌性质表征 | 第44-48页 |
| 4.3.2 单层未掺杂及铜掺杂多孔薄膜气敏元件对 H2S 的测试研究 | 第48-52页 |
| 4.4 本章小结 | 第52-54页 |
| 第五章 基于半导体氧化物多孔双层薄膜及铜掺杂传感器件的气敏研究 | 第54-65页 |
| 5.1 引言 | 第54页 |
| 5.2 实验过程 | 第54-55页 |
| 5.2.1 实验材料和器件制备 | 第54页 |
| 5.2.2 测试及一些表征 | 第54-55页 |
| 5.3 结果与讨论 | 第55-63页 |
| 5.3.1 形貌及结构表征 | 第55-56页 |
| 5.3.2 组成性质表征 | 第56-58页 |
| 5.3.3 半导体氧化物多孔双层薄膜及铜掺杂器件对 H2S 的气敏研究 | 第58-63页 |
| 5.3.4 半导体氧化物多孔双层薄膜器件对 CO 的气敏测试研究 | 第63页 |
| 5.4 本章小结 | 第63-65页 |
| 第六章 结论与展望 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-72页 |
| 攻读学位期间本人出版或公开发表的论著、论文 | 第72-73页 |
| 致谢 | 第73-74页 |
