| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-20页 |
| 1.1 三代半导体简介 | 第10-11页 |
| 1.2 半导体低维结构 | 第11-13页 |
| 1.3 研究材料介绍 | 第13-17页 |
| 1.3.1 纤锌矿结构GaN和ZnO | 第13-16页 |
| 1.3.2 层状结构SnS2和SnSe2 | 第16-17页 |
| 1.4 本文研究内容简介 | 第17-20页 |
| 第二章 理论基础 | 第20-32页 |
| 2.1 有效质量理论 | 第20-23页 |
| 2.2 变分法 | 第23-24页 |
| 2.3 密度泛函理论 | 第24-30页 |
| 2.3.1 绝热近似和哈特利-福克近似 | 第24-27页 |
| 2.3.2 Hohenberg-Kohn定理 | 第27页 |
| 2.3.3 Kohn-Sham方程 | 第27-29页 |
| 2.3.4 交换关联泛函的简化 | 第29页 |
| 2.3.5 DFT+U方法 | 第29-30页 |
| 2.4 程序包VASP的介绍 | 第30-32页 |
| 第三章 纤锌矿InGaN staggered量子阱中的激子态 | 第32-42页 |
| 3.1 研究背景 | 第32-33页 |
| 3.2 理论模型和计算方法 | 第33-36页 |
| 3.2.1 理论模型 | 第33-35页 |
| 3.2.2 staggered量子阱中激子态的计算 | 第35-36页 |
| 3.3 数值结果和讨论 | 第36-39页 |
| 3.4 结论 | 第39-42页 |
| 第四章 纤锌矿ZnO/GaN超晶格的电子结构研究 | 第42-52页 |
| 4.1 研究背景 | 第42页 |
| 4.2 理论模型和计算方法 | 第42-44页 |
| 4.3 数值结果和讨论 | 第44-49页 |
| 4.4 结论 | 第49-52页 |
| 第五章 堆积类型对双层SnX2薄膜电子结构的影响 | 第52-60页 |
| 5.1 研究背景 | 第52页 |
| 5.2 理论模型和计算方法 | 第52-54页 |
| 5.3 数值结果和讨论 | 第54-58页 |
| 5.4 结论 | 第58-60页 |
| 第六章 结论 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第72-73页 |