| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第6-10页 |
| 1.1 MOSFET的发展与现状 | 第6-8页 |
| 1.2 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的发展与问题 | 第8-9页 |
| 1.3 本论文的内容与安排 | 第9-10页 |
| 第二章 MOSFET的基本特性 | 第10-20页 |
| 2.1 MOSFET中的电容电压特性 | 第10-13页 |
| 2.2 MOSFET中的量子效应 | 第13-16页 |
| 2.3 MOSFET中的肖特基接触特性 | 第16-19页 |
| 2.4 本章小结 | 第19-20页 |
| 第三章 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压特性的计算 | 第20-44页 |
| 3.1 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET电容电压特性的计算方法 | 第20-28页 |
| 3.2 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET的电容电压特性的计算程序 | 第28-35页 |
| 3.3 Ⅲ-Ⅴ族MOSFET电容电压特性计算的结果与讨论 | 第35-43页 |
| 3.4 本章小结 | 第43-44页 |
| 第四章 GaAs电容电压与肖特基接触特性 | 第44-55页 |
| 4.1 GaAs MOS结构的制备工艺 | 第44-47页 |
| 4.2 GaAs MOS结构的电容电压特性测量与分析 | 第47-51页 |
| 4.3 GaAs肖特基接触工艺制备、测量与特性 | 第51-54页 |
| 4.4 本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录 MATLAB的电容电压计算输入文件 | 第62-75页 |
| 攻读硕士学位期间的论文发表情况 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
