| 第一章 绪论 | 第7-18页 |
| 1.1 半导体激光器的发展概况及应用简介 | 第7-10页 |
| 1.1.1 发展概况 | 第7-8页 |
| 1.1.2 大功率半导体激光器的应用简介 | 第8-10页 |
| 1.2 半导体激光光束的特性分析概述 | 第10-13页 |
| 1.2.1 半导体激光光场分布的研究回顾 | 第10-11页 |
| 1.2.2 半导体激光光束质量因子M~2的研究回顾 | 第11-13页 |
| 1.3 半导体激光光束耦合技术概述 | 第13-16页 |
| 1.3.1 单光束耦合技术发展概况 | 第14页 |
| 1.3.2 多光束耦合技术发展概况 | 第14-15页 |
| 1.3.3 大功率激光二极管棒的光束耦合技术 | 第15-16页 |
| 1.4 本论文的选题以及完成的主要工作 | 第16-18页 |
| 第二章 半导体激光器的模式理论 | 第18-42页 |
| 2.1 半导体激光器中的电磁场 | 第18-21页 |
| 2.1.1 波动方程 | 第18-20页 |
| 2.1.2 电学常数和光学常数 | 第20页 |
| 2.1.3 电磁辐射的TE模和TM模 | 第20-21页 |
| 2.2 不同结构的半导体激光器模式分析 | 第21-40页 |
| 2.2.1 对称三层介质平板波导 | 第21-28页 |
| 2.2.2 多层介质平板波导 | 第28-32页 |
| 2.2.3 条形介质波导 | 第32-40页 |
| 2.3 小结 | 第40-42页 |
| 第三章 半导体激光器辐射的远场与近场特性分析 | 第42-58页 |
| 3.1 半导体激光器辐射的远场特性 | 第42-51页 |
| 3.1.1 一维远场模型 | 第42-45页 |
| 3.1.2 二维远场模型 | 第45-51页 |
| 3.2 半导体激光器辐射的近场特性 | 第51-57页 |
| 3.2.1 衍射的角谱理论 | 第51-53页 |
| 3.2.2 GaAs／Ga_(0.7)As_(0.3)Al双异质结激光器的一维近场分析 | 第53-57页 |
| 3.3 小结 | 第57-58页 |
| 第四章 半导体激光器的光束质量因子M~2 | 第58-89页 |
| 4.1 非傍轴光束的矢量及标量二阶矩理论 | 第58-67页 |
| 4.1.1 非傍轴矢量二阶矩理论 | 第58-64页 |
| 4.1.2 标量二阶矩理论 | 第64-67页 |
| 4.1.3 非傍轴光束的传输规律及其光束质量因子M~2的总结 | 第67页 |
| 4.2 半导体激光器的光束质量因子M~2的理论计算 | 第67-85页 |
| 4.2.1 双异质结激光器 | 第67-73页 |
| 4.2.2 多量子阱激光器 | 第73-75页 |
| 4.2.3 条状掩埋型激光器 | 第75-80页 |
| 4.2.4 垂直腔面发射激光器 | 第80-84页 |
| 4.2.5 计算结果分析 | 第84-85页 |
| 4.3 半导体激光器M~2的测量 | 第85-87页 |
| 4.3.1 基本测量方法 | 第85-86页 |
| 4.3.2 InGaAs／AlGaAs量子阱激光器的光束质量因子M~2的测量 | 第86-87页 |
| 4.4 小结 | 第87-89页 |
| 第五章 半导体激光光束的整形和耦合技术 | 第89-114页 |
| 5.1 基于柱面微透镜的准直系统 | 第89-96页 |
| 5.1.1 柱面微透镜的设计原理 | 第89-92页 |
| 5.1.2 设计实例 | 第92-96页 |
| 5.2 大功率激光二极管棒的波长复合技术 | 第96-114页 |
| 5.2.1 波长复合的原理以及控制波长的方法 | 第98-102页 |
| 5.2.2 温度梯度热沉 | 第102-106页 |
| 5.2.3 二极管棒各单元之间的波长间隔的测量方法 | 第106-108页 |
| 5.2.4 波长复合光学系统 | 第108-114页 |
| 第六章 总结和展望 | 第114-116页 |
| 参考文献 | 第116-123页 |
