| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-28页 |
| 1.1 薄膜晶体管概论 | 第9-10页 |
| 1.2 氧化物薄膜晶体管技术简介 | 第10-13页 |
| 1.3 本文研究背景 | 第13-19页 |
| 1.3.1 a-IGZO TFT特性 | 第14-15页 |
| 1.3.2 a-IGZO TFT在光照及电应力下研究现状 | 第15-19页 |
| 1.4 实验器件与研究方法 | 第19-23页 |
| 1.4.1 器件结构及生产工艺 | 第19-20页 |
| 1.4.2 实验平台介绍 | 第20-22页 |
| 1.4.3 实验方法 | 第22-23页 |
| 1.5 论文的结构安排 | 第23-25页 |
| 参考文献 | 第25-28页 |
| 第二章 光照及电应力下的统一退化模型 | 第28-38页 |
| 2.1 氧空位简介 | 第28-31页 |
| 2.2 光激发特性 | 第31-33页 |
| 2.3 离化氧空位的特性 | 第33-34页 |
| 2.4 离化氧空位在电场下的移动 | 第34-35页 |
| 2.5 本章小结 | 第35-36页 |
| 参考文献 | 第36-38页 |
| 第三章 a-IGZO TFT在光照及电应力下的退化 | 第38-51页 |
| 3.1 正栅压应力（PBS）下的退化 | 第38-39页 |
| 3.2 负栅压应力（NBS）下的退化 | 第39-40页 |
| 3.3 单独光照应力下的退化 | 第40-42页 |
| 3.4 正偏光照应力（PBIS）下的退化 | 第42-43页 |
| 3.5 负偏光照应力（NBIS）下的退化 | 第43-46页 |
| 3.6 恢复特性 | 第46-48页 |
| 3.7 本章小结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 第四章 光的波长及光强对a-IGZO TFT的影响 | 第51-54页 |
| 4.1 光的不同波长对a-IGZO TFT的影响 | 第51-52页 |
| 4.2 不同光强对a-IGZO TFT的影响 | 第52-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-54页 |
| 第五章 总结及未来工作 | 第54-56页 |
| 5.1 本文总结 | 第54-55页 |
| 5.2 未来工作 | 第55-56页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
