| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-63页 |
| 1.1 拓扑绝缘体简介 | 第12-25页 |
| 1.1.1 拓扑绝缘体的起源和发展 | 第12-19页 |
| 1.1.2 拓扑绝缘体的结构和性质 | 第19-25页 |
| 1.2 拓扑绝缘体异质结构 | 第25-42页 |
| 1.2.1 拓扑绝缘体与超导体异质结 | 第25-29页 |
| 1.2.2 拓扑绝缘体与铁磁体异质结 | 第29-34页 |
| 1.2.3 拓扑绝缘体与石墨烯异质结 | 第34-38页 |
| 1.2.4 拓扑绝缘体与半导体异质结 | 第38-42页 |
| 1.3 拓扑绝缘体Sb_2Te_3的物理性质 | 第42-46页 |
| 1.3.1 热电性质 | 第42-45页 |
| 1.3.2 光电性质 | 第45页 |
| 1.3.3 相变性质 | 第45-46页 |
| 1.4 仪器设备与表征手段 | 第46-52页 |
| 1.4.1 分子束外延简介 | 第47-49页 |
| 1.4.2 拓扑绝缘体的分子束外延生长 | 第49-50页 |
| 1.4.3 能带偏移测量方法 | 第50-52页 |
| 1.5 本文选题意义与主要研究内容 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-63页 |
| 第二章 拓扑绝缘体Sb_2Te_3与IV族半导体Ge异质结的生长与能带偏移表征 | 第63-89页 |
| 2.1 引言 | 第63-65页 |
| 2.2 实验部分 | 第65-68页 |
| 2.2.1 异质结生长 | 第65-67页 |
| 2.2.2 样品的表征 | 第67-68页 |
| 2.3 结果和讨论 | 第68-82页 |
| 2.4 本章小结 | 第82-83页 |
| 参考文献 | 第83-89页 |
| 第三章 拓扑绝缘体Sb_2Te_3与IV族半导体Si异质结的生长及光电行为研究 | 第89-115页 |
| 3.1 引言 | 第89-91页 |
| 3.2 实验部分 | 第91-94页 |
| 3.2.1 异质结生长 | 第91-93页 |
| 3.2.2 样品的表征 | 第93-94页 |
| 3.3 结果和讨论 | 第94-110页 |
| 3.4 本章小结 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-115页 |
| 第四章 拓扑绝缘体Sb_2Te_3与II-VI族半导体ZnTe异质结的生长以及ZnTe作为势垒层对光电性能的影响 | 第115-133页 |
| 4.1 引言 | 第115-116页 |
| 4.2 实验部分 | 第116-118页 |
| 4.2.1 异质结生长 | 第116-117页 |
| 4.2.2 样品的表征 | 第117-118页 |
| 4.3 结果和讨论 | 第118-129页 |
| 4.4 本章小结 | 第129-130页 |
| 参考文献 | 第130-133页 |
| 第五章 结论与展望 | 第133-135页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第135-137页 |
| 致谢 | 第137页 |
