| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 引言 | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-43页 |
| 1.1 非易失性存储器概述 | 第11-14页 |
| 1.1.1 3D结构NAND型Flash存储器 | 第11-12页 |
| 1.1.2 新型非易失性存储器简介 | 第12-14页 |
| 1.2 阻变存储器简介 | 第14-22页 |
| 1.2.1 阻变存储器的阻变机制 | 第15-19页 |
| 1.2.2 阻变行为与参数 | 第19-21页 |
| 1.2.3 阻变材料的选择 | 第21-22页 |
| 1.3 有机无机杂化钙钛矿材料概述 | 第22-34页 |
| 1.3.1 引言 | 第22页 |
| 1.3.2 有机无机杂化钙钛矿材料简介 | 第22-27页 |
| 1.3.3 有机无机杂化钙钛矿材料的阻变存储器研究进展 | 第27-34页 |
| 1.4 本论文的选题内容与研究意义 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-43页 |
| 第二章 器件的制备与阻变特性研究 | 第43-64页 |
| 2.1 引言 | 第43页 |
| 2.2 器件的制备与表征 | 第43-45页 |
| 2.3 CH_3NH_3PbI_3薄膜阻变特性的调控 | 第45-52页 |
| 2.3.1 CH3NH3Pb I3薄膜生长环境对阻变特性的调控 | 第45-46页 |
| 2.3.2 电极对器件导电通道类型的调控 | 第46-48页 |
| 2.3.3 导电通道尺寸对保持特性的调控 | 第48-52页 |
| 2.4 光辐照对器件运行参数的调控 | 第52-60页 |
| 2.4.1 光辐照对Al/ CH_3NH_3PbI_3/FTO器件关闭电流的调控 | 第52-54页 |
| 2.4.2 光辐照对Al/ CH_3NH_3PbI_3/FTO器件forming电压的调控 | 第54-60页 |
| 2.4.3 本节小结 | 第60页 |
| 2.5 本章小结 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-64页 |
| 第三章 CH_3NH_3PbI_3基阻变器件的界面调控及负微分电阻行为的机制探究 | 第64-88页 |
| 3.1 引言 | 第64页 |
| 3.2 Au/CH_3NH_3PbI_3/FTO器件的界面调控 | 第64-73页 |
| 3.2.1 界面缺陷的引入及对阻变特性的影响 | 第64-67页 |
| 3.2.2 阻变特性变化的机制探究 | 第67-73页 |
| 3.2.3 本节小结 | 第73页 |
| 3.3 双极性与负微分电阻行为的机制探究 | 第73-80页 |
| 3.4 Au/CH_3NH_3PbI_3/FTO器件单极性阻变行为 | 第80-82页 |
| 3.5 本章小结 | 第82-84页 |
| 参考文献 | 第84-88页 |
| 第四章 CH_3NH_3PbI_3基阻变器件循环寿命及失效机制研究 | 第88-102页 |
| 4.1 引言 | 第88页 |
| 4.2 Al/CH_3NH_3PbI_3/FTO器件的制备与循环寿命测试 | 第88-91页 |
| 4.2.1 器件的制备与表征 | 第88页 |
| 4.2.2 循环寿命测试对器件阻变行为的影响 | 第88-91页 |
| 4.3 循环失效机制探究 | 第91-99页 |
| 4.3.1 薄膜内部缺陷密度变化对阻变行为的影响 | 第91-95页 |
| 4.3.2 薄膜缺陷密度增加的机制探究 | 第95-99页 |
| 4.4 本章小结 | 第99-100页 |
| 参考文献 | 第100-102页 |
| 第五章 总结与展望 | 第102-104页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第102-103页 |
| 5.2 未来工作展望 | 第103-104页 |
| 致谢 | 第104-105页 |
| 在学期间公开发表论文及参加学术会议情况 | 第105页 |
