基于相变存储器电流约束下片内并行写入操作研究
| 摘要 | 第8-10页 |
| ABSTRACT | 第10-11页 |
| 第一章 绪论 | 第12-18页 |
| 1.1 课题研究背景及意义 | 第12-13页 |
| 1.2 国内外研究现状及分析 | 第13-16页 |
| 1.2.1 相变存储器产品 | 第13-14页 |
| 1.2.2 基于PCM的非易失性主存研究 | 第14-16页 |
| 1.3 本文的章节安排 | 第16-18页 |
| 1.3.1 本文的主要工作 | 第16-17页 |
| 1.3.2 本文的组织结构 | 第17-18页 |
| 第二章 相关技术研究 | 第18-23页 |
| 2.1 PCM的机理 | 第18页 |
| 2.2 PCM的基本特点 | 第18-19页 |
| 2.3 PCM的工作特性 | 第19-21页 |
| 2.3.1 PCM的PCM编程原理 | 第19-20页 |
| 2.3.2 PCM读取原理 | 第20-21页 |
| 2.3.3 PCM器件的工作特性 | 第21页 |
| 2.4 本章小结 | 第21-23页 |
| 第三章 提高PCM访存性能的相关研究 | 第23-30页 |
| 3.1 混合存储 | 第23-25页 |
| 3.2 改善编码方式 | 第25-27页 |
| 3.3 改进内部操作 | 第27-29页 |
| 3.4 本章小结 | 第29-30页 |
| 第四章 基于PCM的电流配额管理策略 | 第30-38页 |
| 4.1 硬件架构 | 第31-32页 |
| 4.2 写入路径 | 第32-33页 |
| 4.3 逻辑判断 | 第33-35页 |
| 4.4 写过程并行实现 | 第35-36页 |
| 4.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第五章 实验结果及分析 | 第38-43页 |
| 5.1 仿真环境 | 第38-40页 |
| 5.1.1 硬件建模 | 第38-39页 |
| 5.1.2 负载构造 | 第39-40页 |
| 5.2 实验：写速度对比 | 第40-42页 |
| 5.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第六章 总结与展望 | 第43-45页 |
| 6.1 全文总结 | 第43-44页 |
| 6.2 课题展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-50页 |
| 致谢 | 第50-51页 |
| 附件 | 第51页 |
