| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 直流断路器的研究背景 | 第9页 |
| 1.2 直流断路器的研究难点 | 第9-10页 |
| 1.3 直流配电网的发展现状 | 第10-12页 |
| 1.4 碳化硅MOSFET的发展及应用 | 第12-13页 |
| 1.5 本文主要工作 | 第13-15页 |
| 第2章 直流断路器工作原理和工作电压等级的确定 | 第15-23页 |
| 2.1 直流断路器的工作原理 | 第15-16页 |
| 2.2 三种常见直流断路器的比较 | 第16-20页 |
| 2.2.1 机械式直流断路器 | 第16-17页 |
| 2.2.2 混合式直流断路器 | 第17-19页 |
| 2.2.3 全固态直流断路器 | 第19-20页 |
| 2.3 直流断路器工作电压等级的确定 | 第20-22页 |
| 2.4 本章小结 | 第22-23页 |
| 第3章 碳化硅MOSFET的电路特性和SABER软件建模 | 第23-36页 |
| 3.1 MOSFET动态参数介绍 | 第23-25页 |
| 3.1.1 开通和关断时间 | 第23-24页 |
| 3.1.2 极间电容 | 第24-25页 |
| 3.2 开断过程分析 | 第25-28页 |
| 3.2.1 开通过程分析 | 第25-26页 |
| 3.2.2 关断过程分析 | 第26-28页 |
| 3.3 碳化硅功率MOS的优点 | 第28-30页 |
| 3.3.1 与Si-MOSFET相比的优点 | 第28-30页 |
| 3.3.2 与IGBT相比的优点 | 第30页 |
| 3.4 基于SABER软件的碳化硅MOSFET模型建立 | 第30-34页 |
| 3.4.1 saber软件简介 | 第31页 |
| 3.4.2 用saber软件进行碳化硅MOSFET建模 | 第31-34页 |
| 3.5 本章小结 | 第34-36页 |
| 第4章 碳化硅MOSFET用于直流断路器的可行性分析 | 第36-47页 |
| 4.1 简易直流电路模型的建立和参数估算 | 第36-38页 |
| 4.1.1 电源电压及内阻的确定 | 第36-37页 |
| 4.1.2 导线参数的估算 | 第37页 |
| 4.1.3 直流负载的选取 | 第37-38页 |
| 4.2 MOSFET分断电路时的过电压分析 | 第38-41页 |
| 4.2.1 断开正常工作时的过电压 | 第38-39页 |
| 4.2.2 分断短路故障时的过电压 | 第39页 |
| 4.2.3 正常和故障时过电压仿真分析 | 第39-41页 |
| 4.3 过电压保护电路的设计 | 第41-45页 |
| 4.3.1 过电压保护电路(一) | 第41-43页 |
| 4.3.2 过电压保护电路(二) | 第43-45页 |
| 4.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第5章 低压直流断路器的电路和样机设计 | 第47-55页 |
| 5.1 主电路的设计 | 第47-48页 |
| 5.2 检测电路的设计 | 第48-50页 |
| 5.2.1 电阻型检测电路 | 第48-49页 |
| 5.2.2 霍尔传感器型检测电路 | 第49-50页 |
| 5.3 控制电路的设计 | 第50-51页 |
| 5.4 驱动电路的设计 | 第51-52页 |
| 5.5 样机试制 | 第52-54页 |
| 5.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第6章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 致谢 | 第60-61页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其它成果 | 第61-62页 |
| 攻读硕士学位期间参加的科研工作 | 第62页 |
