| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第9-14页 |
| 1.2 耦合垂直腔面发射激光器阵列光束操控 | 第14-16页 |
| 1.3 本文主要研究内容 | 第16-17页 |
| 1.4 本文结构 | 第17-19页 |
| 第2章 光束操控实验设计方案 | 第19-35页 |
| 2.1 结构及参数设计方案 | 第19-21页 |
| 2.1.1 1×2 阵列设计 | 第19-20页 |
| 2.1.2 1×3 阵列设计 | 第20-21页 |
| 2.2 设计方案模拟分析 | 第21-30页 |
| 2.2.1 COMSOL模拟电流及温度分布 | 第21-23页 |
| 2.2.2 FDTD模拟耦合阵列 | 第23-24页 |
| 2.2.3 FDTD模拟单元折射率对耦合阵列光束操控的影响 | 第24-27页 |
| 2.2.4 FDTD模拟单元相位对耦合阵列光束操控的影响 | 第27-30页 |
| 2.3 实验版图设计 | 第30-32页 |
| 2.3.1 整体版图 | 第30-31页 |
| 2.3.2 细节版图 | 第31-32页 |
| 2.4 工艺流程设计 | 第32-34页 |
| 2.4.1 质子注入掩膜制备 | 第32-33页 |
| 2.4.2 质子注入技术 | 第33页 |
| 2.4.3 正电极及纳米金属层制备 | 第33-34页 |
| 2.5 本章小结 | 第34-35页 |
| 第3章 器件制备过程 | 第35-43页 |
| 3.1 制备过程 | 第35-38页 |
| 3.2 制备过程中的关键工艺 | 第38-40页 |
| 3.2.1 光刻工艺 | 第38-39页 |
| 3.2.2 ICP刻蚀 | 第39页 |
| 3.2.3 质子注入 | 第39-40页 |
| 3.2.4 快速退火 | 第40页 |
| 3.3 制备工艺中的难点问题分析 | 第40-41页 |
| 3.4 本章小结 | 第41-43页 |
| 第4章 测试与分析 | 第43-63页 |
| 4.1 测试平台 | 第43-44页 |
| 4.2 近场测试分析 | 第44-50页 |
| 4.2.1 1×2 阵列近场测试 | 第44-47页 |
| 4.2.2 1×3 阵列近场测试 | 第47-49页 |
| 4.2.3 近场测试小结分析 | 第49-50页 |
| 4.3 远场测试分析 | 第50-54页 |
| 4.3.1 1×2 阵列远场测试 | 第50-52页 |
| 4.3.2 1×3 阵列远场测试 | 第52-54页 |
| 4.4 光功率和光谱测试分析 | 第54-61页 |
| 4.4.1 1×2 阵列 | 第54-57页 |
| 4.4.2 1×3 阵列 | 第57-61页 |
| 4.5 本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第69-71页 |
| 致谢 | 第71页 |