超导量子器件的制备与可扩展封装方案的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-14页 |
| 1.1 本文结构 | 第10-11页 |
| 1.2 量子计算的发展 | 第11-14页 |
| 第二章 超导量子计算 | 第14-46页 |
| 2.1 超导量子比特 | 第14-25页 |
| 2.1.1 约瑟夫森结 | 第14-16页 |
| 2.1.2 电荷比特 | 第16-18页 |
| 2.1.3 磁通比特 | 第18-22页 |
| 2.1.4 相位比特 | 第22-23页 |
| 2.1.5 Transmon量子比特 | 第23-25页 |
| 2.2 超导共面波导谐振腔 | 第25-33页 |
| 2.2.1 谐振腔模型 | 第25-27页 |
| 2.2.2 传输线谐振腔 | 第27-32页 |
| 2.2.3 共面波导谐振腔 | 第32-33页 |
| 2.3 电路量子电动力学 | 第33-42页 |
| 2.4 表面码纠错 | 第42-45页 |
| 2.5 本章小节 | 第45-46页 |
| 第三章 超导量子比特相关的制备工艺 | 第46-62页 |
| 3.1 基片的选择与清洗 | 第46-47页 |
| 3.2 共面波导的制备 | 第47-53页 |
| 3.2.1 紫外曝光 | 第47-50页 |
| 3.2.2 紫外曝光工艺的摸索 | 第50-51页 |
| 3.2.3 去残胶工艺 | 第51页 |
| 3.2.4 ICP刻蚀 | 第51-52页 |
| 3.2.5 ICP刻蚀工艺的摸索 | 第52-53页 |
| 3.2.6 湿法刻蚀工艺 | 第53页 |
| 3.3 约瑟夫森结的制备 | 第53-61页 |
| 3.3.1 电子束曝光 | 第53-56页 |
| 3.3.2 电子束曝光剂量的摸索 | 第56-58页 |
| 3.3.3 电子束蒸发 | 第58-61页 |
| 3.4 切片与剥离 | 第61页 |
| 3.5 本章小结 | 第61-62页 |
| 第四章 氮化钛薄膜的制备 | 第62-76页 |
| 4.1 研究背景 | 第62-63页 |
| 4.2 实验过程简介 | 第63-70页 |
| 4.2.1 溅射条件摸索 | 第64-68页 |
| 4.2.2 低温测量系统 | 第68-69页 |
| 4.2.3 低温损耗 | 第69-70页 |
| 4.3 共振峰的拟合方法 | 第70-72页 |
| 4.4 附:氮化铌薄膜的制备 | 第72-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-76页 |
| 第五章 两比特耦合态 | 第76-82页 |
| 5.1 CR的简介 | 第76-77页 |
| 5.2 样品设计 | 第77-78页 |
| 5.3 测量结果 | 第78-80页 |
| 5.4 本章小结 | 第80-82页 |
| 第六章 立体封装方案的实验 | 第82-104页 |
| 6.1 研究背景 | 第82-88页 |
| 6.2 基于PCB的三维结构的设计 | 第88-91页 |
| 6.3 十三比特样品的设计 | 第91-93页 |
| 6.4 基于PCB的三维结构的仿真 | 第93-97页 |
| 6.4.1 两层地的包覆对CPW层线路互扰的影响 | 第93-94页 |
| 6.4.2 穿孔对微波传输的影响 | 第94-96页 |
| 6.4.3 与引线键合情形的对比 | 第96-97页 |
| 6.5 基于PCB的三维结构的表征 | 第97-102页 |
| 6.5.1 接触电阻 | 第97-98页 |
| 6.5.2 腔模与隔离度 | 第98页 |
| 6.5.3 低温性质 | 第98-102页 |
| 6.6 本章小结 | 第102-104页 |
| 第七章 总结与展望 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-118页 |
| 简历与科研成果 | 第118-120页 |
| 致谢 | 第120-121页 |
