摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
第一章 绪论 | 第12-24页 |
1.1 研究背景 | 第12页 |
1.2 量子点 | 第12-18页 |
1.2.1 量子点的概述 | 第12-13页 |
1.2.2 量子点的制备方法 | 第13-17页 |
1.2.3 量子点在环境监测上的应用 | 第17-18页 |
1.3 分子印迹技术 | 第18-21页 |
1.3.1 分子印迹技术的定义 | 第18页 |
1.3.2 分子印迹技术原理 | 第18-19页 |
1.3.3 分子印迹聚合物在环境中的应用 | 第19-21页 |
1.4 分子动力学模拟在分子印迹中应用 | 第21-22页 |
1.4.1 分子动力学模拟 | 第21页 |
1.4.2 分子动力学模拟在分子印迹技术中的应用 | 第21-22页 |
1.5 研究目的、意义和内容 | 第22-24页 |
1.5.1 研究目的及意义 | 第22-23页 |
1.5.2 研究内容 | 第23-24页 |
第二章 基于计算机模拟技术合成荧光分子印迹聚合物检测中 4-硝基酚 | 第24-45页 |
2.1 引言 | 第24-26页 |
2.2 实验部分 | 第26-31页 |
2.2.1 实验材料 | 第26页 |
2.2.2 实验设备 | 第26-27页 |
2.2.3 巯基修饰的CdTe QDs的制备 | 第27-28页 |
2.2.4 CdTe@SiO_2的制备 | 第28页 |
2.2.5 计算机模拟预组装体系 | 第28-29页 |
2.2.6 CdTe@SiO_2-MIPs和CdTe@SiO_2-NIPs的制备 | 第29-30页 |
2.2.7 FT-IR检测 | 第30页 |
2.2.8 荧光检测 | 第30页 |
2.2.9 荧光材料的选择性和识别能力 | 第30页 |
2.2.10 真实样品检测 | 第30-31页 |
2.3 结果与讨论 | 第31-44页 |
2.3.1 CdTe QDs和CdTe@SiO_2的特性 | 第31-33页 |
2.3.2 CdTe@SiO_2-MIPs计算机模拟的预聚合体系 | 第33-37页 |
2.3.3 实验验证计算机模拟的结果的可靠性 | 第37-39页 |
2.3.4 CdTe@SiO_2-MIPs和CdTe@SiO_2-NIPs的特征 | 第39-41页 |
2.3.5 CdTe@SiO_2-MIPs和CdTe@SiO_2-NIPs分析性能特征 | 第41-44页 |
2.4 本章小结 | 第44-45页 |
第三章 磺胺甲噁唑分子印迹聚合物的计算机辅助设计和识别机理预测 | 第45-56页 |
3.1 引言 | 第45-48页 |
3.1.1 磺胺类药物的定义和结构 | 第45-46页 |
3.1.2 磺胺类药物的残留和危害 | 第46-48页 |
3.1.3 磺胺类药物残留的常用检测方法 | 第48页 |
3.2 SMO分子印迹于组装体系的设计和模拟 | 第48-50页 |
3.2.1 SMO分子印迹预组装体系分子结构的优化 | 第49-50页 |
3.2.2 预组装体系的构建及模拟 | 第50页 |
3.3 SMO分子印迹预组装体系的数据分析及识别机理预测 | 第50-54页 |
3.4 本章小结 | 第54-56页 |
第四章 磺胺甲噁唑磁性荧光分子印迹聚合物的制备与性能研究 | 第56-81页 |
4.1 引言 | 第56页 |
4.2 CdTe@SiO_2@MIPs的制备及其性能研究 | 第56-69页 |
4.2.1 实验试剂 | 第56-57页 |
4.2.2 实验设备 | 第57-58页 |
4.2.3 实验过程 | 第58-59页 |
4.2.4 实验结果与讨论 | 第59-69页 |
4.3 Fe_3O_4@SiO_2CdTe@MIPs的制备及性能研究 | 第69-80页 |
4.3.0 实验药品 | 第69-70页 |
4.3.1 实验设备 | 第70页 |
4.3.2 Fe_3O_4@SiO_2@CdTe@MIPs的制备 | 第70-72页 |
4.3.4 实验结果与讨论 | 第72-80页 |
4.4 本章小结 | 第80-81页 |
第五章 结论与展望 | 第81-83页 |
5.1 结论 | 第81-82页 |
5.2 展望 | 第82-83页 |
参考文献 | 第83-99页 |
致谢 | 第99-100页 |
攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第100页 |