| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 1 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 研究背景 | 第9-10页 |
| 1.2 霍尔推力器的结构以及工作原理 | 第10-11页 |
| 1.3 磁场对霍尔推力器的影响 | 第11-14页 |
| 1.3.1 霍尔推力器磁场的研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3.2 霍尔推力器磁场的设计准则 | 第12-14页 |
| 1.4 霍尔推力器中电子的传导过程 | 第14-17页 |
| 1.4.1 经典传导 | 第15-16页 |
| 1.4.2 玻姆传导 | 第16页 |
| 1.4.3 近壁传导 | 第16-17页 |
| 1.5 霍尔推力器中震荡现象的研究 | 第17-18页 |
| 1.6 论文的主要内容 | 第18-20页 |
| 2 霍尔推力器背景磁场优化的数值研究 | 第20-31页 |
| 2.1 引言 | 第20页 |
| 2.2 模型 | 第20-22页 |
| 2.3 数值方法 | 第22-23页 |
| 2.4 数值结果与讨论 | 第23-30页 |
| 2.4.1 磁屏对磁场位形的影响 | 第23-25页 |
| 2.4.2 内外磁极高度对磁场位形的影响 | 第25-27页 |
| 2.4.3 辅助线圈对磁场位形的影响 | 第27-30页 |
| 2.5 结论 | 第30-31页 |
| 3 霍尔推力器背景磁场对等离子体中电子运动行为影响的数值研究 | 第31-38页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 模型 | 第31-33页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第33-37页 |
| 3.4 结论 | 第37-38页 |
| 4 霍尔推力器背景磁场对高频震荡影响的数值研究 | 第38-50页 |
| 4.1 引言 | 第38页 |
| 4.2 模型 | 第38-40页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第40-48页 |
| 4.3.1 磁屏的影响 | 第40-45页 |
| 4.3.2 磁极相对高度的影响 | 第45-46页 |
| 4.3.3 辅助线圈的影响 | 第46-48页 |
| 4.4 结论 | 第48-50页 |
| 结论 | 第50-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 攻读硕士学位期间发表学术论文情况 | 第55-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |