| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 引言 | 第9-10页 |
| 1 绪论 | 第10-30页 |
| 1.1 石墨烯的简介 | 第10页 |
| 1.2 石墨烯的结构与特性 | 第10-12页 |
| 1.2.1 石墨烯结构 | 第10-11页 |
| 1.2.2 石墨烯的光学性质 | 第11页 |
| 1.2.3 石墨烯的电学性能 | 第11-12页 |
| 1.3 石墨烯的制备 | 第12-20页 |
| 1.3.1 石墨烯的生长方法 | 第12-17页 |
| 1.3.2 石墨烯的转移 | 第17-20页 |
| 1.4 石墨烯单晶的研究进展 | 第20-28页 |
| 1.4.1 铜箔上制备单晶石墨烯研究进展 | 第21-24页 |
| 1.4.2 在其他基底上生长单晶石墨烯研究进展 | 第24-25页 |
| 1.4.3 石墨烯阵列的研究进展 | 第25-26页 |
| 1.4.4 石墨烯的应用 | 第26-28页 |
| 1.5 论文的选题思路和研究内容 | 第28-30页 |
| 1.5.1 选题思路 | 第28页 |
| 1.5.2 研究内容 | 第28-30页 |
| 2 实验部分 | 第30-35页 |
| 2.1 化学试剂 | 第30-31页 |
| 2.2 实验设备 | 第31页 |
| 2.3 石墨烯的表征 | 第31-33页 |
| 2.3.1 拉曼光谱表征（Raman） | 第31-32页 |
| 2.3.2 场发射电子显微镜（FE-SEM）表征 | 第32页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜（TEM）的表征 | 第32-33页 |
| 2.4 石墨烯的转移 | 第33-35页 |
| 3 单晶石墨烯的制备 | 第35-40页 |
| 3.1 引言 | 第35页 |
| 3.2 实验部分 | 第35-36页 |
| 3.2.1 石墨烯薄膜的形貌调控 | 第35页 |
| 3.2.2 毫米单晶石墨烯生长参数 | 第35-36页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第36-39页 |
| 3.3.1 石墨烯薄膜的形貌表征 | 第36-38页 |
| 3.3.2 毫米尺寸单晶石墨烯的生长 | 第38-39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-40页 |
| 4 单晶石墨烯阵列的制备 | 第40-53页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 实验部分 | 第40-43页 |
| 4.2.1 铜箔基底的预处理化 | 第40-41页 |
| 4.2.2 实验生长工艺 | 第41-43页 |
| 4.3 实验结果与讨论 | 第43-51页 |
| 4.3.1 石墨烯初步表征与分析 | 第43-48页 |
| 4.3.2 退火过程中不同气氛对铜箔表面生长的影响 | 第48-49页 |
| 4.3.3 石墨烯阵列制备的生长机理 | 第49-50页 |
| 4.3.4 喷墨打印机制备石墨烯阵列 | 第50-51页 |
| 4.4 本章小结 | 第51-53页 |
| 5 单晶石墨烯的定位制备探索 | 第53-59页 |
| 5.1 引言 | 第53页 |
| 5.2 实验部分 | 第53-56页 |
| 5.2.1 化学气相沉积炉设备进气端的改进 | 第53-54页 |
| 5.2.2 实验工艺及参数探索 | 第54-56页 |
| 5.3 结果和讨论 | 第56-58页 |
| 5.4 小结 | 第58-59页 |
| 6 结论 | 第59-61页 |
| 参考文献 | 第61-67页 |
| 在学研究成果 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |