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离子束沉积TiN薄膜及其结构和形貌研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第1章 绪论第9-18页
    1.1 超导电性及强电应用第9-10页
    1.2 YBCO涂层导体及缓冲层第10-12页
    1.3 涂层导体缓冲层的制备方法第12-14页
        1.3.1 RABITS工艺第12-13页
        1.3.2 IBAD工艺第13-14页
    1.4 IBAD涂层导体的研究进展第14-15页
    1.5 IBAD工艺薄膜生长机制的研究第15-16页
    1.6 本文内容简介第16-18页
第2章 薄膜的制备及表征方法第18-25页
    2.1 IBAD系统设备简介第18-21页
    2.2 样品的制备过程第21-22页
    2.3 样品的分析表征方法简介第22-25页
        2.3.1 X射线衍射第22-23页
        2.3.2 原子力显微镜第23-25页
第3章 结果与讨论第25-40页
    3.1 溅射离子源能量和沉积温度对薄膜晶面取向的影响第25-28页
        3.1.1 实验条件第25-26页
        3.1.2 结果和讨论第26-28页
    3.2 辅助离子源能量对成膜的影响第28-34页
        3.2.1 实验条件第28-29页
        3.2.2 结果和讨论第29-33页
        3.2.3 小结第33-34页
    3.3 辅助离子源束流对成膜的影响第34-40页
        3.3.1 实验条件第34-35页
        3.3.2 结果和讨论第35-39页
        3.3.3 小结第39-40页
结论第40-43页
参考文献第43-48页
附录第48-51页
攻读学位期间发表论文清单第51-52页
致谢第52页

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