摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6页 |
第1章 绪论 | 第9-18页 |
1.1 超导电性及强电应用 | 第9-10页 |
1.2 YBCO涂层导体及缓冲层 | 第10-12页 |
1.3 涂层导体缓冲层的制备方法 | 第12-14页 |
1.3.1 RABITS工艺 | 第12-13页 |
1.3.2 IBAD工艺 | 第13-14页 |
1.4 IBAD涂层导体的研究进展 | 第14-15页 |
1.5 IBAD工艺薄膜生长机制的研究 | 第15-16页 |
1.6 本文内容简介 | 第16-18页 |
第2章 薄膜的制备及表征方法 | 第18-25页 |
2.1 IBAD系统设备简介 | 第18-21页 |
2.2 样品的制备过程 | 第21-22页 |
2.3 样品的分析表征方法简介 | 第22-25页 |
2.3.1 X射线衍射 | 第22-23页 |
2.3.2 原子力显微镜 | 第23-25页 |
第3章 结果与讨论 | 第25-40页 |
3.1 溅射离子源能量和沉积温度对薄膜晶面取向的影响 | 第25-28页 |
3.1.1 实验条件 | 第25-26页 |
3.1.2 结果和讨论 | 第26-28页 |
3.2 辅助离子源能量对成膜的影响 | 第28-34页 |
3.2.1 实验条件 | 第28-29页 |
3.2.2 结果和讨论 | 第29-33页 |
3.2.3 小结 | 第33-34页 |
3.3 辅助离子源束流对成膜的影响 | 第34-40页 |
3.3.1 实验条件 | 第34-35页 |
3.3.2 结果和讨论 | 第35-39页 |
3.3.3 小结 | 第39-40页 |
结论 | 第40-43页 |
参考文献 | 第43-48页 |
附录 | 第48-51页 |
攻读学位期间发表论文清单 | 第51-52页 |
致谢 | 第52页 |