| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 SOI的简介 | 第8-13页 |
| 1.1.1 技术背景 | 第8-9页 |
| 1.1.2 SOI的主流制备工艺 | 第9-10页 |
| 1.1.3 SOI技术的发展趋势 | 第10-12页 |
| 1.1.4 SOI技术的前景以及所存在的问题 | 第12-13页 |
| 1.2 LIGBT的简介 | 第13-17页 |
| 1.2.1 技术背景 | 第13-14页 |
| 1.2.2 IGBT的发展历史 | 第14-15页 |
| 1.2.3 LIGBT的进展 | 第15-17页 |
| 1.2.4 SOI LIGBT的发展现状与趋势 | 第17页 |
| 1.3 本文主要的工作与内容 | 第17-18页 |
| 第二章 LIGBT基本原理与负阻效应 | 第18-28页 |
| 2.1 LIGBT的结构与工作原理 | 第18-21页 |
| 2.1.1 LIGBT的结构说明 | 第18-19页 |
| 2.1.2 LIGBT的工作原理 | 第19-21页 |
| 2.2 SA-LIGBT与负阻效应 | 第21-25页 |
| 2.2.1 SA-LIGBT的工作原理 | 第21-23页 |
| 2.2.2 抑制负阻效应的理论分析 | 第23-25页 |
| 2.3 现有对负阻效应的抑制方案 | 第25-27页 |
| 2.4 本章小结 | 第27-28页 |
| 第三章 具有阳极P型埋层的SOI LIGBT结构研究 | 第28-42页 |
| 3.1 阳极P型埋层SOI LIGBT的结构及工作原理 | 第28-29页 |
| 3.2 阳极P型埋层SOI LIGBT器件仿真 | 第29-40页 |
| 3.2.1 PBLA-LIGBT的输出特性及负阻效应研究 | 第29-34页 |
| 3.2.2 PBLA-LIGBT阻断特性的研究 | 第34-36页 |
| 3.2.3 PBLA-LIGBT的转移特性 | 第36-37页 |
| 3.2.4 PBLA-LIGBT关断特性的研究 | 第37-40页 |
| 3.3 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 阳极弱反型层SOI LIGBT结构研究 | 第42-52页 |
| 4.1 阳极弱反型层SOI LIGBT的结构及工作原理 | 第42-44页 |
| 4.2 阳极弱反型层SOI LIGBT器件仿真 | 第44-50页 |
| 4.2.1 AWIL-LIGBT的输出特性及负阻效应研究 | 第44-46页 |
| 4.2.2 AWIL-LIGBT阻断特的研究 | 第46-49页 |
| 4.2.3 AWIL-LIGBT的转移特性 | 第49页 |
| 4.2.4 AWIL-LIGBT关断特性的研究 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 总结与展望 | 第52-54页 |
| 5.1 总结 | 第52-53页 |
| 5.2 展望 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-57页 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 | 第57-58页 |
| 附录2 攻读硕士学位期间申请的专利 | 第58-59页 |
| 附录3 攻读硕士学位期间参加的科研项目 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
