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抗光折变离子和本征缺陷下的光折变掺杂铌酸锂晶体的第一性原理研究

摘要第6-8页
ABSTRACT第8-9页
第1章 绪论第10-20页
    1.1 课题研究的背景和意义第10页
        1.1.1 研究背景第10页
        1.1.2 研究意义第10页
    1.2 全息存储研究的现状第10-13页
    1.3 铌酸锂晶体的研究进展第13-17页
        1.3.1 铌酸锂晶体的基本结构第13-15页
        1.3.2 铌酸锂晶体的掺杂特性第15-17页
    1.4 铌酸锂晶体内缺陷对光学性质的影响第17页
    1.5 课题主要研究内容第17-20页
第2章 计算模型的理论简介第20-28页
    2.1 第一性原理方法第20-23页
        2.1.1 Thomas-Fermi模型第20-22页
        2.1.2 Hohenberg-Kohn定理第22-23页
    2.2 KOHN-SHAM方程第23-24页
    2.3 交换关联泛函第24-25页
    2.4 CASTEP软件包的简介第25-28页
第3章 第一性原理下铟锰共掺铌酸锂晶体的电子结构和吸收光谱第28-38页
    3.1 晶体模型的建立和计算方法第28-30页
    3.2 计算结果与理论分析第30-36页
        3.2.1 LN及掺杂LN的电子结构第30-34页
        3.2.2 光学特性第34-36页
    3.3 总结第36-38页
第4章 含本征缺陷的掺铁铌酸锂晶体的电子结构和光学性质的第一性原理研究第38-46页
    4.1 晶体的模型建立和计算方法第38-40页
    4.2 计算结果的理论分析第40-44页
        4.2.1 LN及其掺杂体系的电子结构与态密度第40-42页
        4.2.2 光学特性第42-44页
    4.3 本章小结第44-46页
第5章 结论与展望第46-48页
    5.1 本文结论第46页
    5.2 本文存在的不足之处第46页
    5.3 前景展望第46-48页
参考文献第48-56页
硕士期间发表的学术论文第56-58页
致谢第58页

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