| 中文摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第8-38页 |
| 1.1. 拓扑绝缘体简介 | 第8-13页 |
| 1.1.1. 时间反演不变和Z_2拓扑不变量 | 第8-11页 |
| 1.1.2. 拓扑表面态 | 第11-13页 |
| 1.2 拓扑绝缘体材料 | 第13-24页 |
| 1.2.1 二维拓扑绝缘体 | 第13-14页 |
| 1.2.2 三维拓扑绝缘体 | 第14-15页 |
| 1.2.3 多元拓扑绝缘体 | 第15-17页 |
| 1.2.4 拓扑绝缘体杂化结构 | 第17-23页 |
| 1.2.5. 拓扑绝缘体的磁性掺杂 | 第23-24页 |
| 1.3 拓扑绝缘体中的弱反局域化 | 第24-31页 |
| 1.3.1. 弱局域化的微观图像 | 第24-27页 |
| 1.3.2. 弱局域化的磁致电阻 | 第27-28页 |
| 1.3.3 拓扑绝缘体中的弱反局域化研究 | 第28-31页 |
| 1.4 本章总结 | 第31页 |
| 参考文献 | 第31-38页 |
| 第二章 拓扑绝缘体材料的制备 | 第38-61页 |
| 2.1. VS机制 | 第38-39页 |
| 2.2. Bi_2Te_3、Bi_2Se_3与Bi_(2-0.15)(TeSe)_(3+0.15)纳米薄片的制备与表征 | 第39-49页 |
| 2.2.1 用VS机制制备Bi_2Te_3、Bi_2Se_3与Bi_(2-0.15)(TeSe)_(3+0.15)纳米薄片 | 第40-42页 |
| 2.2.2 纳米薄片表征 | 第42-46页 |
| 2.2.3 Bi_2Te_3薄膜的制备与输运测量 | 第46-49页 |
| 2.3. Bi_2Te_3与Bi_2Se_3的异质结构制备与表征 | 第49-52页 |
| 2.4. 拓扑绝缘体材料的掺杂 | 第52-57页 |
| 2.4.1 掺杂的方法简介 | 第53-56页 |
| 2.4.2 掺杂方法的改进 | 第56-57页 |
| 2.5. 本章总结 | 第57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 第三章 Bi_2Se_3与Bi_(2-0.15)(TeSe)_(3+0.15)纳米薄片的输运测量和分析 | 第61-73页 |
| 3.1. Bi_2Se_3与Bi_(2-0.15)(TeSe)_(3+0.15)纳米薄片的输运测量 | 第61-66页 |
| 3.1.1 输运测量 | 第61-64页 |
| 3.1.2 输运测量结果和初步处理 | 第64-66页 |
| 3.2. Bi_2Se_3纳米薄片的输运结果分析 | 第66-68页 |
| 3.3. Bi_(2-0.15)(TeSe)_(3+0.15)纳纳米薄片的输运结果分析 | 第68-70页 |
| 3.4 本章总结 | 第70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 第四章 总结与展望 | 第73-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
