| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 引言 | 第7-11页 |
| 1.1 量子计算简介 | 第7-8页 |
| 1.2 量子比特 | 第8-11页 |
| 第二章 超导量子比特 | 第11-20页 |
| 2.1 超导体的宏观量子特性 | 第11-13页 |
| 2.2 约瑟夫森结 | 第13-15页 |
| 2.3 超导量子比特分类与特性 | 第15-20页 |
| 2.3.1 磁通量子比特 | 第16-17页 |
| 2.3.2 电荷量子比特 | 第17页 |
| 2.3.3 相位量子比特 | 第17-20页 |
| 第三章 Al/AlOx/Al隧道结的简化制备技术 | 第20-40页 |
| 3.1 隧道结的简化制备原理 | 第20-23页 |
| 3.1.1 超导材料的选择 | 第20页 |
| 3.1.2 传统的Al/AlOx/Al隧道结制备方法 | 第20-21页 |
| 3.1.3 Al/AlOx/Al隧道结的简化制备方案 | 第21-23页 |
| 3.2 光刻制备掩膜 | 第23-26页 |
| 3.2.1 双层胶光刻制备底电极掩膜 | 第23-25页 |
| 3.2.2 单层胶光刻制备上电极掩膜 | 第25-26页 |
| 3.3 磁控溅射制备铝膜 | 第26-31页 |
| 3.3.1 磁控溅射原理 | 第26-28页 |
| 3.3.2 铝膜的磁控溅射 | 第28-31页 |
| 3.4 离子铣刻蚀自然氧化层 | 第31-34页 |
| 3.4.1 刻蚀技术简介 | 第31-33页 |
| 3.4.2 离子铣的刻蚀速率 | 第33-34页 |
| 3.5 势垒层制备 | 第34-35页 |
| 3.6 电子束蒸发上层铝膜 | 第35-36页 |
| 3.6.1 电子束蒸发的工作原理 | 第35页 |
| 3.6.2 电子束蒸发铝膜流程 | 第35-36页 |
| 3.7 湿法刻蚀形成上电极 | 第36-40页 |
| 3.7.1 湿法刻蚀原理及特点 | 第36-37页 |
| 3.7.2 上电极铝膜的刻蚀 | 第37-40页 |
| 第四章 工艺流程的改进与优化 | 第40-46页 |
| 4.1 下层铝膜的氧化膜保护层 | 第40-41页 |
| 4.2 光刻剥离代替湿法刻蚀 | 第41-46页 |
| 4.2.1 湿法腐蚀对样品的影响 | 第41-42页 |
| 4.2.2 代替湿法腐蚀的优化方案 | 第42页 |
| 4.2.3 负胶光刻具体参数步骤 | 第42-44页 |
| 4.2.4 优化方案分析 | 第44-46页 |
| 第五章 Al/AlO_x/Al隧道结I-V测量 | 第46-48页 |
| 5.1 测试环境 | 第46页 |
| 5.2 测试结果与分析 | 第46-48页 |
| 第六章 总结与展望 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 硕士期间研究成果(2012-2015) | 第52-53页 |