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宽电压SRAM灵敏放大器的研究与实现

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-19页
    1.1 论文研究背景第9-11页
        1.1.1 SRAM的研究意义第9-10页
        1.1.2 宽电压SRAM的重要性第10-11页
    1.2 宽电压SA设计挑战及研究现状第11-17页
        1.2.1 低电压下SA与存储单元兼容问题第12-14页
        1.2.2 SA时序控制造成的位线摆幅问题第14-17页
    1.3 论文主要工作及创新点第17页
    1.4 论文组织结构第17-18页
    1.5 本章小结第18-19页
第二章 宽电压灵敏放大器第19-31页
    2.1 差分灵敏放大器第19-24页
    2.2 单端灵敏放大器第24-29页
    2.3 本章小结第29-31页
第三章 参考电压自选择的宽电压低功耗伪差分SA第31-59页
    3.1 灵敏放大器设计指标第31-40页
        3.1.1 灵敏放大器设计指标第31页
        3.1.2 SA关键指标理论分析第31-40页
    3.2 参考电压自选择的宽电压低功耗伪差分SA第40-56页
        3.2.1 降低SA失调电压偏差原理第41-45页
        3.2.2 低电压降低位线摆幅原理第45-49页
        3.2.3 宽电压低功耗SA电路设计第49-56页
    3.3 仿真及结果比较第56-57页
    3.4 本章小结第57-59页
第四章 宽电压灵敏放大器实现及结果对比第59-67页
    4.1 宽电压灵敏放大器应用与实现第59页
    4.2 SRAM测试方案第59-61页
    4.3 测试结果分析及比较第61-65页
    4.4 本章小结第65-67页
第五章 总结与展望第67-69页
    5.1 总结第67-68页
    5.2 展望第68-69页
致谢第69-71页
参考文献第71-74页

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