| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-20页 |
| 1.1 引言 | 第9页 |
| 1.2 半导体硅漂移室探测器简介 | 第9-12页 |
| 1.3 半导体硅漂移室探测器的研发过程 | 第12-17页 |
| 1.4 研究内容 | 第17-18页 |
| 1.5 研究意义及其应用 | 第18-20页 |
| 第2章 传统的螺旋型硅漂移室探测器的仿真研究 | 第20-31页 |
| 2.1 仿真工具Sentaurus TCAD软件简要说明 | 第20-23页 |
| 2.1.1 软件概况 | 第20页 |
| 2.1.2 器件仿真组件的说明 | 第20-21页 |
| 2.1.3 仿真的物理模型 | 第21-22页 |
| 2.1.4 仿真结构参数 | 第22-23页 |
| 2.2 输入电压约束 | 第23-24页 |
| 2.3 螺旋型硅漂移室探测器的仿真 | 第24-30页 |
| 2.3.1 引言 | 第24-28页 |
| 2.3.2 电势分布 | 第28-29页 |
| 2.3.3 电场分布 | 第29页 |
| 2.3.4 电子浓度分布 | 第29-30页 |
| 2.4 本章小结 | 第30-31页 |
| 第3章 应用螺旋型分压器的硅漂移室探测器的仿真 | 第31-41页 |
| 3.1 引言 | 第31页 |
| 3.2 η_(SBA)=η_(SDD)=η=0.8 的仿真 | 第31-37页 |
| 3.2.1 电势分布 | 第31-35页 |
| 3.2.2 电场分布 | 第35-36页 |
| 3.2.3 电子浓度分布 | 第36-37页 |
| 3.3 η_(SBA)=0.6，η_(SDD)=0.8 的仿真 | 第37-39页 |
| 3.3.1 电势分布 | 第37-38页 |
| 3.3.2 电场分布 | 第38-39页 |
| 3.3.3 电子浓度分布 | 第39页 |
| 3.4 本章小结 | 第39-41页 |
| 第4章 在二维硅漂移室结构中模拟重离子入射 | 第41-49页 |
| 4.1 在重离子入射的条件下，硅漂移室中载流子的漂移情况 | 第41-46页 |
| 4.1.1 重离子入射模型 | 第41-42页 |
| 4.1.2 载流子随时间的漂移情况 | 第42-46页 |
| 4.2 重离子入射产生的诱导电流 | 第46-47页 |
| 4.3 本章小结 | 第47-49页 |
| 第5章 总结与展望 | 第49-51页 |
| 5.1 总结 | 第49页 |
| 5.2 工作展望 | 第49-51页 |
| 参考文献 | 第51-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |
| 附录A 应用螺旋形分压器的硅漂移室探测器结构代码 | 第56-65页 |
| 附录B 电学仿真代码 | 第65-67页 |
| 附录C 重离子入射仿真代码 | 第67-70页 |
| 个人简历 | 第70-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第71页 |
