| 致谢 | 第7-8页 |
| 摘要 | 第8-9页 |
| Abstract | 第9页 |
| 第一章 绪论 | 第15-23页 |
| 1.1 整数量子霍尔效应 | 第15-16页 |
| 1.2 量子反常量子霍尔效应 | 第16-17页 |
| 1.3 第一代拓扑绝缘体 | 第17页 |
| 1.4 第二代拓扑绝缘体 | 第17-19页 |
| 1.5 拓扑绝缘体在光电方面的研究进展 | 第19-22页 |
| 1.6 本文主要内容 | 第22-23页 |
| 第二章 实验原理与实验过程 | 第23-34页 |
| 2.1 分子束外延的实验原理 | 第23-31页 |
| 2.1.1、真空系统 | 第23-25页 |
| 2.1.2 传样系统 | 第25页 |
| 2.1.3、除气系统 | 第25-26页 |
| 2.1.4、外延生长系统 | 第26-27页 |
| 2.1.5、测量监测系统 | 第27-30页 |
| 2.1.6、冷却降温系统 | 第30-31页 |
| 2.2 分子束外延方法制备Bi_2Se_3薄膜实验过程 | 第31-33页 |
| 2.2.1 衬底的选择与处理 | 第31-32页 |
| 2.2.2 基板与衬底的传送 | 第32页 |
| 2.2.3 高温除气 | 第32页 |
| 2.2.4 外延生长 | 第32-33页 |
| 2.2.5 传出样品 | 第33页 |
| 2.3 本章总结 | 第33-34页 |
| 第三章 Bi_2Se_3薄膜的晶体质量测试分析及改进 | 第34-49页 |
| 3.1 测试方法与原理 | 第34-35页 |
| 3.2 衬底温度对晶体质量的影响 | 第35-42页 |
| 3.2.1 实验方案与过程 | 第35-36页 |
| 3.2.2 不同生长温度样品的RHEED图像比较 | 第36-37页 |
| 3.2.3 不同生长温度样品的场发射扫描电子显微镜测试比较 | 第37-39页 |
| 3.2.4 不同生长温度样品的原子力显微镜测试 | 第39页 |
| 3.2.5 不同生长温度样品的物相分析 | 第39-42页 |
| 3.3 不同束流比对硒化铋薄膜质量的影响 | 第42-48页 |
| 3.3.1 不同束流比样品的反射式高能电子衍射仪图像比较 | 第43-44页 |
| 3.3.2 不同束流比样品的场发射扫描电子显微镜测试比较 | 第44页 |
| 3.3.3 不同束流比样品的原子力显微镜测试比较 | 第44-45页 |
| 3.3.4 不同束流比样品的物相分析 | 第45-47页 |
| 3.3.5 不同束流比样品的元素成分分析 | 第47-48页 |
| 3.4 本章总结 | 第48-49页 |
| 第四章 拓扑绝缘体Bi_2Se_3的光电性能的研究 | 第49-59页 |
| 4.1 拓扑绝缘体硒化铋的光电性能的研究 | 第49-52页 |
| 4.1.1 硒化铋光电导型光电探测器的制作 | 第49-50页 |
| 4.1.2 拓扑绝缘体硒化铋的光电性能测试及分析 | 第50-52页 |
| 4.2 硅衬底上硒化铋的光电性能研究 | 第52-58页 |
| 4.2.1 硅衬底上硒化铋的电输运研究 | 第52-53页 |
| 4.2.2 硅衬底上硒化铋光电响应的原理分析 | 第53-55页 |
| 4.2.3 硅衬上硒化铋的光响应分析 | 第55-56页 |
| 4.2.4 温度对硒化铋光电性能的影响 | 第56-57页 |
| 4.2.5 硒化铋的响应速度测试 | 第57-58页 |
| 4.3 本章总结 | 第58-59页 |
| 第五章 硒化铋-硅异质结的光电性能研究 | 第59-70页 |
| 5.1 硒化铋-硅异质结的制作原理及过程 | 第59-62页 |
| 5.1.1 异质结的原理与材料的选取 | 第59-60页 |
| 5.1.2 异质结的制备与测试 | 第60-62页 |
| 5.2 硒化铋-硅异质结的光电性能测试及分析 | 第62-69页 |
| 5.2.1 硒化铋-硅异质结光电测试分析 | 第62-63页 |
| 5.2.2 硒化铋-硅异质结的光响应分析 | 第63-65页 |
| 5.2.3 硒化铋-硅异质结对不同功率的红外光响应的测试分析 | 第65-66页 |
| 5.2.4 硒化铋-硅异质结对不同波长的光响应及分析 | 第66-68页 |
| 5.2.5 温度对硒化铋-硅异质结光电性能的影响 | 第68-69页 |
| 5.3 本章总结 | 第69-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 6.1 总结 | 第70-71页 |
| 6.2 展望 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间的学术活动及成果情况 | 第76页 |
