低功耗低压差线性稳压器研究与设计
| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 LDO概述 | 第12-14页 |
| 1.2 市场需求 | 第14-15页 |
| 1.3 研究热点 | 第15-19页 |
| 1.3.1 无片外电容LDO | 第16页 |
| 1.3.2 快速瞬态响应LDO | 第16-17页 |
| 1.3.3 数字LDO | 第17-18页 |
| 1.3.4 低功耗LDO | 第18-19页 |
| 1.4 研究内容与论文结构 | 第19-20页 |
| 第二章 系统设计 | 第20-32页 |
| 2.1 直流特性 | 第20-23页 |
| 2.1.1 输出电压及输出精度 | 第20-21页 |
| 2.1.2 最大可驱动的负载电流 | 第21-22页 |
| 2.1.3 压差 | 第22-23页 |
| 2.1.4 效率 | 第23页 |
| 2.2 交流分析 | 第23-27页 |
| 2.2.1 负反馈系统稳定判据 | 第24页 |
| 2.2.2 频率响应 | 第24-27页 |
| 2.3 瞬态分析 | 第27-31页 |
| 2.3.1 典型的反应 | 第28-31页 |
| 2.3.2 设计难点 | 第31页 |
| 2.4 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 电路拓扑 | 第32-52页 |
| 3.1 CMOS拓扑 | 第32-34页 |
| 3.2 缓冲器结构 | 第34-37页 |
| 3.2.1 传统缓冲器 | 第35页 |
| 3.2.2 新型缓冲器 | 第35-37页 |
| 3.3 带隙基准模块BG | 第37-48页 |
| 3.3.1 电压基准电路 | 第38-43页 |
| 3.3.2 Banba结构 | 第43-44页 |
| 3.3.3 Leung结构的设计 | 第44-46页 |
| 3.3.4 高PSR电压基准结构的设计 | 第46-48页 |
| 3.4 误差放大器设计 | 第48-50页 |
| 3.5 功率级设计 | 第50-51页 |
| 3.6 本章小结 | 第51-52页 |
| 第四章 超低功耗无片外电容LDO的关键特性分析 | 第52-60页 |
| 4.1 转换效率 | 第52-56页 |
| 4.1.1 设计难点 | 第52-53页 |
| 4.1.2 摆率增强电路 | 第53-55页 |
| 4.1.3 高转换效率缓冲器 | 第55-56页 |
| 4.2 负载调整率 | 第56-59页 |
| 4.2.1 零极点对的产生 | 第56-58页 |
| 4.2.2 电路实现 | 第58-59页 |
| 4.3 本章小结 | 第59-60页 |
| 第五章 超低功耗无片外电容LDO的频率补偿 | 第60-67页 |
| 5.1 简单密勒补偿 | 第60-62页 |
| 5.2 消除右半平面零点的补偿结构 | 第62-63页 |
| 5.3 嵌套式密勒补偿结构 | 第63-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 超低功耗无片外电容LDO芯片的设计 | 第67-76页 |
| 6.1 超低功耗无片外电容LDO的指标 | 第67页 |
| 6.2 设计难点 | 第67-68页 |
| 6.3 电路设计 | 第68-70页 |
| 6.4 芯片测试 | 第70-75页 |
| 6.5 本章小结 | 第75-76页 |
| 第七章 总结与展望 | 第76-77页 |
| 7.1 总结 | 第76页 |
| 7.2 展望 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-81页 |
| 攻读硕士学位期间主要研究成果 | 第81页 |
