硅基阻挡杂质带红外探测器研制及其光电特性研究
| 致谢 | 第1-6页 |
| 中文摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-25页 |
| §1.1 红外天文学发展概述 | 第13-15页 |
| §1.2 天文用红外探测器概述 | 第15-19页 |
| §1.3 阻挡杂质带红外探测器概述 | 第19-23页 |
| ·非本征红外探测器 | 第19-21页 |
| ·非本征红外探测器的升级 | 第21-23页 |
| §1.4 本论文的研究目的和主要内容 | 第23-25页 |
| 第二章 阻挡杂质带探测器器件物理基础 | 第25-41页 |
| §2.1 BIB器件结构 | 第25-26页 |
| §2.2 BIB器件物理模型 | 第26-40页 |
| ·BIB器件中载流子的统计分布 | 第26-29页 |
| ·BIB器件的电场分布 | 第29-33页 |
| ·光照时BIB器件工作原理 | 第33-40页 |
| §2.3 本章小结 | 第40-41页 |
| 第三章离子注入型阻挡杂质带探测器 | 第41-57页 |
| §3.1 离子注入 | 第41-42页 |
| §3.2 器件制备工艺 | 第42-45页 |
| §3.3 器件性能参数测试与分析 | 第45-49页 |
| ·黑体响应率 | 第45-47页 |
| ·暗电流 | 第47-48页 |
| ·探测率 | 第48-49页 |
| §3.4 光电流谱 | 第49-56页 |
| ·傅里叶红外光谱仪 | 第49-50页 |
| ·光电流响应谱测量原理 | 第50-52页 |
| ·微弱信号提取技巧 | 第52-53页 |
| ·光电流谱指认 | 第53-56页 |
| §3.5 本章小结 | 第56-57页 |
| 第四章外延型阻挡杂质带红外探测器 | 第57-73页 |
| §4.1 硅的外延 | 第57-58页 |
| §4.2 材料生长 | 第58-59页 |
| §4.3 器件工艺 | 第59-60页 |
| §4.4 器件测试与分析 | 第60-68页 |
| ·黑体响应率及噪声 | 第60-61页 |
| ·光电流响应谱 | 第61-63页 |
| ·暗电流 | 第63-65页 |
| ·探测率 | 第65-68页 |
| §4.5 补偿杂质浓度的提取 | 第68-72页 |
| §4.6 本章小结 | 第72-73页 |
| 第五章阻挡杂质带探测器中的界面势垒效应 | 第73-87页 |
| §5.1 器件结构和测试手段 | 第73-74页 |
| §5.2 界面势垒的证明 | 第74-78页 |
| ·界面势垒的提出 | 第74-76页 |
| ·界面势垒的实验证据 | 第76-78页 |
| §5.3 双激发工作模型 | 第78-81页 |
| §5.4 拓展模式的隧穿特性和热离化特性 | 第81-83页 |
| §5.5 界面势垒效应对器件性能的影响 | 第83-85页 |
| §5.6 本章小结 | 第85-87页 |
| 第六章总结与展望 | 第87-91页 |
| §6.1 本论文工作总结 | 第87-88页 |
| §6.2 不足与展望 | 第88-91页 |
| ·工作中的不足 | 第88-89页 |
| ·展望 | 第89-91页 |
| 参考文献 | 第91-101页 |
| 作者简介及在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第101-102页 |
