| 作者简介 | 第1-8页 |
| 摘要 | 第8-11页 |
| ABSTRACT | 第11-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-33页 |
| ·二氧化硅和氮化硅薄膜 | 第17-21页 |
| ·二氧化硅薄膜及其应用 | 第17-18页 |
| ·氮化硅薄膜及其应用 | 第18-19页 |
| ·二氧化硅和氮化硅薄膜的传统制备方法及不足之处 | 第19-21页 |
| ·原子层沉积 | 第21-27页 |
| ·原子层沉积技术及其优势 | 第21-23页 |
| ·原子层沉积二氧化硅薄膜的研究现状 | 第23-25页 |
| ·原子层沉积氮化硅薄膜及存在的问题 | 第25-26页 |
| ·本文选题小结 | 第26-27页 |
| ·本文的研究内容 | 第27-29页 |
| ·本文的研究内容 | 第27-29页 |
| ·本文的创新之处 | 第29页 |
| ·计算方法和计算模型 | 第29-33页 |
| ·计算原理和方法 | 第29-32页 |
| ·计算模型 | 第32-33页 |
| 第二章 二氧化硅的原子层沉积反应机理及前驱体分子设计筛选 | 第33-86页 |
| ·羟基化的α-SiO_2(001)表面模型 | 第33-35页 |
| ·传统氯硅烷分子的表面解离化学吸附 | 第35-39页 |
| ·SiH_33Cl分子在α-SiO_2(001)表面的分解反应 | 第36-37页 |
| ·SiH_2Cl_2分子在α-SiO_2(001)表面的分解反应 | 第37-39页 |
| ·本节小结 | 第39页 |
| ·一取代氨基硅烷分子沉积SiO_2薄膜的ALD反应机理 | 第39-56页 |
| ·一取代前驱体分子结构及ALD反应机理 | 第39-42页 |
| ·一取代前驱体分子的表面解离化学吸附 | 第42-48页 |
| ·反应途径Route 1：-SiH_3基团先脱氢再氧化 | 第48-52页 |
| ·反应途径Route 2：-SiH_3基团先氧化再脱水 | 第52-56页 |
| ·本节小结 | 第56页 |
| ·二取代氨基硅烷分子沉积SiO_2薄膜的ALD反应机理 | 第56-69页 |
| ·二取代前驱体分子结构及ALD反应机理 | 第57-59页 |
| ·二取代前驱体分子的表面解离化学吸附 | 第59-68页 |
| ·本节小结 | 第68-69页 |
| ·三取代氨基硅烷分子沉积SiO_2薄膜的ALD反应机理 | 第69-85页 |
| ·三取代前驱体分子结构及ALD反应机理 | 第69-72页 |
| ·三取代前驱体分子的表面解离化学吸附 | 第72-81页 |
| ·H_2O对残留配体的去除机理 | 第81-84页 |
| ·本节小结 | 第84-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第三章 氮化硅的原子层沉积反应机理及前驱体分子设计筛选 | 第86-130页 |
| ·β-S_i3N_4(001)表面模型 | 第86-91页 |
| ·全氢化的β-S_i3N_4(001)表面 | 第88-90页 |
| ·氨基化的β-S_i3N_4(001)表面 | 第90-91页 |
| ·传统氯硅烷分子的表面解离化学吸附 | 第91-94页 |
| ·氯硅烷分子在全氢化的β-S_i3N_4(001)表面的分解反应 | 第91-93页 |
| ·氯硅烷分子在氨基化的β-S_i3N_4(001)表面的分解反应 | 第93-94页 |
| ·本节小结 | 第94页 |
| ·一取代氨基硅烷分子沉积Si_3N_4薄膜的ALD反应机理 | 第94-104页 |
| ·ALD反应机理 | 第94-95页 |
| ·一取代前驱体分子的表面解离化学吸附 | 第95-99页 |
| ·表面-SiH_3基团的氨基化 | 第99-102页 |
| ·表面-Si(NH_2)_3基团的交联缩合反应 | 第102-104页 |
| ·本节小结 | 第104页 |
| ·二取代氨基硅烷分子沉积Si_3N_4薄膜的ALD反应机理 | 第104-117页 |
| ·ALD反应机理 | 第105页 |
| ·二取代前驱体分子的表面解离化学吸附 | 第105-112页 |
| ·表面-SiH_2基团的氨基化 | 第112-117页 |
| ·本节小结 | 第117页 |
| ·三取代氨基硅烷分子沉积Si_3N_4薄膜的ALD反应机理 | 第117-128页 |
| ·ALD反应机理 | 第117-118页 |
| ·TMAS分子在β-S_i3N_4(001)表面的分解反应 | 第118-122页 |
| ·TDMAS分子在β-S_i3N_4(001)表面的分解反应 | 第122-125页 |
| ·表面-SiH基团的氨基化 | 第125-128页 |
| ·本节小结 | 第128页 |
| ·本章小结 | 第128-130页 |
| 第四章 结论和展望 | 第130-134页 |
| ·全文总结 | 第130-133页 |
| ·工作展望 | 第133-134页 |
| 致谢 | 第134-136页 |
| 参考文献 | 第136-148页 |
