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涂硼稻草管中子探测器若干问题的理论模拟与实验测试

摘要第1-4页
Abstract第4-9页
主要符号对照表第9-10页
第1章 引言第10-17页
   ·选题背景第10-13页
     ·~3He 的短缺第10-12页
     ·替代~3He 的中子探测器研究概况第12-13页
   ·涂硼稻草管中子探测器国内外研究进展第13-15页
     ·涂硼探测器的研究情况第13页
     ·涂硼稻草管探测器国内外研究进展第13-15页
   ·课题研究内容与论文结构安排第15-17页
     ·课题研究内容及应用前景第15页
     ·论文的结构安排第15-17页
第2章 涂硼稻草管探测效率的物理分析及模拟第17-35页
   ·涂硼稻草管中子探测器的物理模型第17-18页
   ·中子探测原理第18-19页
   ·影响中子探测效率的重要参数第19-21页
   ·研究方法第21-25页
     ·MCNP 蒙特模拟中子吸收第22页
     ·SRIM 模拟带电粒子射程第22-25页
   ·问题难点第25-26页
   ·涂硼稻草管热中子探测效率研究第26-34页
     ·单管探测效率第26页
     ·探测器阵列效率第26-29页
     ·多排稻草管阵列探测器散射率第29-34页
   ·本章小结第34-35页
第3章 涂硼稻草管能量沉积谱的模拟研究第35-56页
   ·带电粒子能量损失原理第35-37页
   ·中子反应能量沉积过程第37-38页
   ·带电粒子路径计算模型第38-39页
   ·研究方法第39-47页
     ·带电粒子产生及出射第39-40页
     ·基础能量沉积谱第40-44页
     ·能谱插值方法第44-47页
   ·模拟结果第47-55页
     ·中子能量沉积谱第47-53页
     ·伽马能量沉积谱第53-55页
   ·本章小结第55-56页
第4章 涂硼稻草管的工艺实现第56-65页
   ·稻草管镀膜方法第56-62页
     ·电子束蒸发镀 B_4C 薄膜第56-57页
     ·大面积镀 B_4C第57-58页
     ·B_4C 厚度测量第58-59页
     ·B_4C 厚度均匀性第59-62页
   ·单根稻草管的制管及封装第62-64页
   ·本章小结第64-65页
第5章 涂硼稻草管探测效率测试第65-81页
   ·实验原理第65-67页
   ·实验系统第67-71页
     ·中子源第67页
     ·~3He 管与涂硼稻草管第67-68页
     ·准直器与屏蔽体设计第68-71页
   ·实验结果第71-79页
     ·本底测量第71-72页
     ·信号测量第72-74页
     ·探测效率计算第74-76页
     ·中子计数修正第76-79页
     ·探测效率计算修正第79页
   ·本章小结第79-81页
第6章 涂硼稻草管位置分辨测试第81-93页
   ·实验系统第81-84页
     ·中子源第81-82页
     ·平移台及其控制系统第82页
     ·待测涂硼中子探测器第82-83页
     ·工作气体第83-84页
     ·电子学模块第84页
   ·实验结果第84-91页
     ·工作气体对位置分辨的影响第84-86页
     ·工作电压对位置分辨的影响第86-91页
     ·稻草管探测器的一致性研究第91页
   ·本章小结第91-93页
第7章 总结与展望第93-95页
   ·总结第93-94页
   ·展望第94-95页
参考文献第95-97页
致谢第97-99页
个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果第99页

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