| 摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-40页 |
| 1 晶体材料 | 第15-18页 |
| ·晶体材料的种类及性质 | 第15-16页 |
| ·晶体缺陷及其对材料性能的影响 | 第16-17页 |
| ·晶体缺陷在材料合成中的应用 | 第17-18页 |
| 2 人工晶体中掺杂元素分析方法进展 | 第18-23页 |
| ·原子光谱法(AES/AAS) | 第18-19页 |
| ·X射线荧光法(XRF) | 第19-20页 |
| ·二次离子质谱法(SIMS) | 第20-21页 |
| ·电感耦合等离子体质谱法(ICP-MS) | 第21-22页 |
| ·电子探针显微分析法(EPMA) | 第22页 |
| ·辉光放电质谱(GD-MS) | 第22-23页 |
| 3 辉光放电质谱分析(GD-MS) | 第23-32页 |
| ·基本原理 | 第23-26页 |
| ·实验装置 | 第26-31页 |
| ·半定量及定量分析 | 第31-32页 |
| 4 GD-MS在无机非导体材料分析中的应用 | 第32-34页 |
| ·粉末样品—混合法 | 第33页 |
| ·片状样品—第二阴极法 | 第33-34页 |
| 5 本论文的目的和意义 | 第34-36页 |
| 参考文献 | 第36-40页 |
| 第二章 辉光放电质谱表面包裹法分析人工晶体中掺杂元素的研究 | 第40-56页 |
| 摘要 | 第40页 |
| 1 引言 | 第40-42页 |
| 2 实验部分 | 第42-44页 |
| ·仪器及实验条件 | 第42页 |
| ·样品及试剂 | 第42页 |
| ·样品制备及实验条件优化 | 第42-43页 |
| ·测定方法 | 第43-44页 |
| 3 结果与讨论 | 第44-53页 |
| ·铟的纯度分析 | 第44页 |
| ·质谱干扰 | 第44-45页 |
| ·不同晶体样品的原子化和离子化 | 第45-46页 |
| ·放电稳定性及方法的重复性 | 第46-50页 |
| ·ICP-AES对表面包裹法的验证 | 第50-51页 |
| ·表面包裹法和第二阴极法,压模法的比较 | 第51-53页 |
| 4 小结 | 第53-54页 |
| 参考文献 | 第54-56页 |
| 第三章 辉光放电质谱钽槽法分析人工晶体中掺杂元素的研究 | 第56-70页 |
| 摘要 | 第56页 |
| 1 引言 | 第56-58页 |
| 2 实验部分 | 第58-59页 |
| ·仪器及实验条件 | 第58页 |
| ·样品及试剂 | 第58页 |
| ·样品制备及实验条件优化 | 第58-59页 |
| ·测定方法 | 第59页 |
| 3 结果与讨论 | 第59-67页 |
| ·钽的纯度分析 | 第59页 |
| ·质谱干扰 | 第59-60页 |
| ·不同晶体样品的原子化和离子化 | 第60-61页 |
| ·放电稳定性及方法的重复性 | 第61-65页 |
| ·ICP-AES对钽槽法的验证 | 第65-66页 |
| ·钽槽法和表面包裹法,第二阴极法,压模法的比较 | 第66-67页 |
| 4 小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-70页 |
| 附录：硕士期间发表的论文 | 第70-71页 |
| 致谢 | 第71页 |