| 中文摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-11页 |
| 第1章 绪论 | 第11-38页 |
| ·磁传感器研究现状和发展趋势 | 第11-25页 |
| ·矢量磁传感器 | 第11-23页 |
| ·标量磁传感器 | 第23-25页 |
| ·分裂漏 MAGFET 磁敏器件研究现状 | 第25-36页 |
| ·分裂漏 MAGFET 磁敏器件国内研究现状 | 第25-27页 |
| ·分裂漏 MAGFET 磁敏器件国外研究现状 | 第27-36页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件研究目的和意义 | 第36-37页 |
| ·研究目的 | 第36页 |
| ·研究意义 | 第36-37页 |
| ·论文主要研究内容 | 第37-38页 |
| 第2章 分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件基本结构与工作原理 | 第38-45页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件基本结构 | 第38-39页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件工作原理 | 第39-44页 |
| ·纳米硅薄膜晶体管工作原理 | 第39-42页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件工作原理 | 第42-44页 |
| ·本章小结 | 第44-45页 |
| 第3章 分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件特性仿真 | 第45-57页 |
| ·ATLAS 器件仿真系统 | 第45-47页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件特性仿真 | 第47-55页 |
| ·仿真模型构建 | 第47-50页 |
| ·特性仿真结果 | 第50-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第4章 分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件芯片设计、制作与封装 | 第57-64页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件芯片设计 | 第57-58页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件芯片制作工艺 | 第58-59页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件芯片版图与封装 | 第59-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 第5章 实验结果与讨论 | 第64-95页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管 IDS-VDS特性 | 第64-68页 |
| ·薄膜厚度对分裂漏纳米硅薄膜晶体管 IDS-VDS特性影响 | 第64-65页 |
| ·沟道形状对分裂漏纳米硅薄膜晶体管 IDS-VDS特性影响 | 第65-66页 |
| ·沟道长宽比对分裂漏纳米硅薄膜晶体管 IDS-VDS特性影响 | 第66-67页 |
| ·衬底对分裂漏纳米硅薄膜晶体管 IDS-VDS特性影响 | 第67-68页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁特性 | 第68-76页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁特性测试原理 | 第68-69页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁特性测试 | 第69-76页 |
| ·分裂漏纳米硅薄膜晶体管磁敏器件静态特性 | 第76-93页 |
| ·线性度 | 第77-88页 |
| ·重复性 | 第88-89页 |
| ·迟滞 | 第89-91页 |
| ·准确度 | 第91页 |
| ·灵敏度 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-95页 |
| 结论 | 第95-97页 |
| 参考文献 | 第97-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 攻读学位期间发表论文 | 第104页 |
| 攻读学位期间科研项目 | 第104页 |
