| 摘要 | 第1-7页 |
| Abstract | 第7-13页 |
| 第1章 硅锗基材料的研究进展 | 第13-41页 |
| ·引言 | 第13-14页 |
| ·SiGe二元团簇和SiGe量子点 | 第14-22页 |
| ·SiGe一维纳米体系 | 第22-27页 |
| ·Ge/SiGe量子阱以及SiGe在Si表面衬底上的生长 | 第27-31页 |
| ·SiGe合金晶体结构 | 第31-35页 |
| ·本章小结 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-41页 |
| 第2章 锗的紧束缚势模型 | 第41-76页 |
| ·紧束缚势方法简介 | 第41-44页 |
| ·锗的紧束缚势研究背景 | 第44-53页 |
| ·考虑键环境修正的锗的紧束缚势模型 | 第53-57页 |
| ·模型的测试结果 | 第57-65页 |
| ·体结构性质 | 第57-60页 |
| ·界面以及表面性质 | 第60-62页 |
| ·纳米线以及团簇的性质 | 第62-64页 |
| ·一种新结构相的性质 | 第64-65页 |
| ·模型的应用—锗的大尺寸团簇Ge_(65),Ge_(70)和Ge_(75)的稳定结构 | 第65-71页 |
| ·锗团簇的研究背景 | 第65-66页 |
| ·计算方法 | 第66-67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-71页 |
| ·本章小结 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 第3章 硅锗二元体系的紧束缚势模型 | 第76-96页 |
| ·Si/Ge二元体系紧束缚势研究背景 | 第76-82页 |
| ·考虑键环境修正的Si/Ge二元体系紧束缚势模型 | 第82-85页 |
| ·模型的测试结果 | 第85-92页 |
| ·Si_xGe_(1-x)合金的体结构性质 | 第85-87页 |
| ·点缺陷以及表面性质 | 第87-88页 |
| ·Ge浓度对Si_xGe_(1-x)合金熔化性质的影响 | 第88-91页 |
| ·应用紧束缚蒙特卡洛方法对Si_(0.5)Ge_(0.5)合金的低能量结构进行搜索 | 第91-92页 |
| ·本章小结 | 第92-94页 |
| 参考文献 | 第94-96页 |
| 第4章 Si-H和Ge-H体系的紧束缚势模型 | 第96-106页 |
| ·研究背景 | 第96-100页 |
| ·新发展的Si-H和Ge-H紧束缚势模型 | 第100-104页 |
| ·本章小结 | 第104-105页 |
| 参考文献 | 第105-106页 |
| 第5章 SiGe纳米线中p型和n型掺杂 | 第106-124页 |
| ·研究背景 | 第106-107页 |
| ·理论研究方法 | 第107-111页 |
| ·Tomas-Fermi-Dirac理论 | 第107-108页 |
| ·Hohenberg-Kohn定理 | 第108页 |
| ·Kohn-Sham方程 | 第108-110页 |
| ·本章研究中所使用的软件包和计算模型 | 第110-111页 |
| ·不同替位掺杂位置的相对稳定性 | 第111-113页 |
| ·掺杂对纳米线电子结构的影响 | 第113-121页 |
| ·Ge_(core)/Si_(shell) NWs中P和N掺杂 | 第114-115页 |
| ·Ge_(core)/Si_(shell) NWs中Al和B掺杂 | 第115-117页 |
| ·Si_(core)/Ge_(shell)和FTP Si/Ge NWs中n-type和p-type掺杂 | 第117-120页 |
| ·Ge_(core)/Si_(shell),Si_(core)/Ge_(shell)和FTP Si/Ge NWs中O掺杂 | 第120-121页 |
| ·本章小结 | 第121-122页 |
| 参考文献 | 第122-124页 |
| 致谢 | 第124-125页 |
| 在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第125页 |
