| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 目录 | 第8-10页 |
| 第1章 绪论 | 第10-22页 |
| ·GaN 基材料的研究概况 | 第10-11页 |
| ·金属有机化合物化学气相沉积简介 | 第11-13页 |
| ·外延 GaN 的常用衬底 | 第13-16页 |
| ·蓝宝石衬底 | 第14页 |
| ·Si 衬底 | 第14-15页 |
| ·SiC 衬底 | 第15-16页 |
| ·材料的测试与表征技术 | 第16-21页 |
| ·XRD 测试技术 | 第16-18页 |
| ·hall 测试 | 第18-19页 |
| ·台面隔离测试 | 第19-20页 |
| ·AFM 测试原理 | 第20-21页 |
| ·本文研究的主要内容 | 第21-22页 |
| 第2章 基于蓝宝石衬底的高阻 GaN的外延研究 | 第22-36页 |
| ·通过改变生长条件制备高阻 GaN 外延层的研究 | 第23-27页 |
| ·降低低温 GaN 成核层的生长压力制备高阻 GaN 外延层 | 第23-24页 |
| ·以 N2为载气生长低温 GaN成核层制备 | 第24-25页 |
| ·低温成核层生长时间对 GaN 外延层的影响 | 第25-27页 |
| ·在 GaN 外延层中进行 Fe 掺杂制备高阻 GaN 外延层 | 第27-34页 |
| ·不同 Cp2Fe 对 GaN 缓冲层的影响 | 第27-31页 |
| ·Fe 掺杂层厚度对 GaN 的影响 | 第31-32页 |
| ·Fe 掺杂高阻 GaN 缓冲层和改变生长条件得到的高阻 GaN 缓冲层的比较 | 第32-33页 |
| ·Fe 掺杂高阻 GaN 缓冲层质量的优化 | 第33-34页 |
| ·H2对 GaN生长速率的影响 | 第34-35页 |
| ·本章小结 | 第35-36页 |
| 第3章 GaN在 Si 上外延及其影响因素研究 | 第36-50页 |
| ·Si 衬底的清洁 | 第37-38页 |
| ·Si 上外延 GaN 的研究 | 第38-48页 |
| ·AlN 缓冲层条件摸索 | 第38-39页 |
| ·AlN 的生长速率校准 | 第39-41页 |
| ·AlN 缓冲层的厚度对 AlN 表面形貌的影响 | 第41-44页 |
| ·AlN 生长速率对 AlN 缓冲层表面形貌的影响 | 第44-47页 |
| ·Si 上外延 GaN 晶体质量的优化 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-50页 |
| 第4章 AlGaN/GaN 结构的电学性能优化的研究 | 第50-60页 |
| ·不同高阻 GaN 缓冲层上外延异质结的比较 | 第50-51页 |
| ·AlN 插入层对异质结性能的影响 | 第51-53页 |
| ·不同方法得到的高阻 GaN 缓冲层上外延异质结的比较 | 第53-54页 |
| ·AlGaN 厚度对 2DEG 的迁移率的影响 | 第54-55页 |
| ·AlGaN/AlN/GaN 异质结的电学特性的优化 | 第55-59页 |
| ·不同厚度的 Fe 掺杂层对异质结电学性能的影响 | 第55-57页 |
| ·改变 GaN 缓冲层的 V/III 对 HEMT 电学性能的影响 | 第57-59页 |
| ·本章总结 | 第59-60页 |
| 第5章 GaN在 SiC 上外延的初步探索 | 第60-66页 |
| ·GaN 在 SiC 上的外延 | 第60-62页 |
| ·SiC 衬底的测试 | 第62-64页 |
| ·GaN 的应力测试 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 结论 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第71-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
