高密度互连印制电路板用超低轮廓电解铜箔的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| ABSTRACT | 第5-9页 |
| 1 绪论 | 第9-16页 |
| ·铜箔简介 | 第9-11页 |
| ·国内外发展现状与趋势 | 第11-12页 |
| ·选题的目的和意义 | 第12-14页 |
| ·选题研究内容 | 第14-16页 |
| 2 实验基础原理及测试方法 | 第16-31页 |
| ·实验的基础原理及理论 | 第16-25页 |
| ·金属的电沉积结晶原理 | 第16-18页 |
| ·电沉积添加剂的作用机理 | 第18-19页 |
| ·均匀实验原理 | 第19-22页 |
| ·高密度电路板封装及其寄生效应 | 第22-25页 |
| ·实验测试方法 | 第25-31页 |
| ·基础液中CU~(2+)、H~+的测试 | 第25-26页 |
| ·表面粗糙度的测试 | 第26-28页 |
| ·抗剥离强度的测试 | 第28-29页 |
| ·铜箔外观现象的测试 | 第29-31页 |
| 3 超低轮廓电解原箔的研究 | 第31-42页 |
| ·原箔试样的制备 | 第31-32页 |
| ·基础工艺条件对原箔性能的影响 | 第32-35页 |
| ·基础液和温度对铜箔性能的影响 | 第32-34页 |
| ·极距对铜箔性能的影响 | 第34页 |
| ·电流密度对铜箔性能的影响 | 第34-35页 |
| ·混合添加剂对原箔性能的影响 | 第35-40页 |
| ·混合添加剂对铜箔性能的影响 | 第36-37页 |
| ·混合添加剂对铜箔性能的回归分析 | 第37-39页 |
| ·混合添加剂的结构分析 | 第39-40页 |
| ·小结 | 第40-42页 |
| 4 高密度互连铜箔后处理的研究 | 第42-53页 |
| ·铜箔后处理试样的制备 | 第42-43页 |
| ·铜箔低粗化后处理工艺的研究 | 第43-49页 |
| ·低粗化后处理电流密度和时间对铜箔性能的影响铜箔 | 第44-46页 |
| ·低粗化后处理基础液和温度对铜箔性能的影响 | 第46-47页 |
| ·低粗化后处理铜箔的结构分析 | 第47-49页 |
| ·硅烷偶联后处理工艺的研究 | 第49-52页 |
| ·小结 | 第52-53页 |
| 5 试验总结与展望 | 第53-56页 |
| ·试验总结 | 第53-54页 |
| ·展望 | 第54-56页 |
| 致谢 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-62页 |
| 附录 攻读硕士学位期间发表论文、专利和参加会议 | 第62页 |
