| 摘要 | 第1-8页 |
| ABSTRACT | 第8-10页 |
| 目录 | 第10-13页 |
| 缩写与术语 | 第13-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-17页 |
| §1.1、低成本电子元器件质量分析控制的意义 | 第14-15页 |
| §1.2、针对低成本荧光灯电子镇流器的电子元器件质量管理 | 第15-16页 |
| §1.3、本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 电子元器件六西格玛质量管理方法概述 | 第17-29页 |
| §2.1、电子元器件的质量 | 第17-18页 |
| §2.2、国内外电子器件可靠性发展与现状 | 第18-19页 |
| §2.3、六西格玛简介 | 第19-23页 |
| §2.3.1、六西格玛的意义 | 第21-22页 |
| §2.3.2、六西格玛管理的优势 | 第22-23页 |
| §2.4、电子元器件质量管理中引入的解决方案（DMAIC 方法） | 第23-28页 |
| §2.4.1、DMAIC 模型 | 第24-25页 |
| §2.4.2、DMAIC 模型在电子元器件质量管理中的应用 | 第25-27页 |
| §2.4.3、MINITAB 简介 | 第27-28页 |
| §2.5、本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 DMAIC 模型应用分析 | 第29-46页 |
| §3.1、基于关键元器件的界定 - DEFINE | 第29-31页 |
| §3.1.1、关键电子元器件的确定 --- MEOST | 第29-30页 |
| §3.1.2、关键电子元器件的确定 --- 排列图法 | 第30-31页 |
| §3.2、基于关键元器件的测量 - MEASURE | 第31-36页 |
| §3.2.1、产品的失效与寿命分布 | 第31-32页 |
| §3.2.2、加速寿命试验的定义与分类 | 第32-34页 |
| §3.2.3、GB2689 恒定应力寿命试验和加速寿命试验方法 | 第34-36页 |
| §3.3、基于测量结果的分析 - ANALYZE | 第36页 |
| §3.4、基于关键元器件的质量改进 - IMPROVE | 第36-43页 |
| §3.4.1、试验设计方法介绍 | 第37-38页 |
| §3.4.2、析因试验设计方法 | 第38-41页 |
| §3.4.3、响应曲面设计方法 | 第41-43页 |
| §3.5、基于改进后的过程控制 - CONTROL | 第43-45页 |
| §3.5.1、过程改进成果的文件化 | 第44页 |
| §3.5.2、建立过程控制计划 | 第44-45页 |
| §3.5.3、实施持续的过程测量和控制 | 第45页 |
| §3.6、本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章 针对低成本荧光灯电子镇流器的元器件质量管理方法 | 第46-81页 |
| §4.1、荧光灯电子镇流器简介 | 第46-48页 |
| §4.1.1、荧光灯电子镇流器的发展及其技术参数 | 第46-47页 |
| §4.1.2 荧光灯交流电子镇流器的工作原理 | 第47-48页 |
| §4.2、HS II 荧光灯电子镇流器中关键电子元器件的界定 | 第48-53页 |
| §4.2.1、HS II 荧光灯镇流器成本分析 | 第49页 |
| §4.2.2、关键器件的分析与确定 | 第49-53页 |
| §4.3、关键电子元器件的可靠性测试 | 第53-58页 |
| §4.3.1、关键电子器件的加速寿命试验设计 | 第53-56页 |
| §4.3.2、加速寿命试验结果分析 | 第56-58页 |
| §4.4、失效样品的分析 | 第58-61页 |
| §4.5、关键电子器件的过程改进 | 第61-75页 |
| §4.5.1、MOSFET SW4N60A1 的改进试验设计-部分析因试验 | 第62-68页 |
| §4.5.2、MOSFET SW4N60A1 的改进试验设计-响应曲面试验 | 第68-74页 |
| §4.5.3、MOSFET 改进结果的试验验证 | 第74-75页 |
| §4.6、关键电子器件的改进过程控制 | 第75-80页 |
| §4.6.1、改进后 MOSFET 的工艺文件更新 | 第76-78页 |
| §4.6.2、持续的过程测量与控制 | 第78-80页 |
| §4.7、本章小结 | 第80-81页 |
| 第五章 总结和展望 | 第81-83页 |
| §5.1、主要结论 | 第81页 |
| §5.2、研究展望 | 第81-83页 |
| 参考文献 | 第83-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读工程硕士学位期间发表的论文 | 第85页 |
