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AIN薄膜体声波质量传感器的研究

摘要第1-6页
Abstract第6-8页
目录第8-10页
第一章 绪论第10-15页
   ·FBAR质量传感器国内外研究现状第11-13页
   ·适用于FBAR压电材料的选择第13-14页
   ·论文的研究目的、主要内容和结构安排第14-15页
第二章 FBAR传感器的结构和工作原理第15-21页
   ·薄膜体声波谐振器理论基础第15-17页
     ·压电效应第15-16页
     ·压电薄膜的振动模式第16-17页
   ·FBAR传感器基本工作原理第17-18页
   ·FBAR传感器的结构第18-20页
   ·本章小结第20-21页
第三章 FBAR中AlN压电薄膜的制备和表征第21-33页
   ·薄膜制备技术第21-22页
   ·AlN薄膜的表征方法第22-24页
   ·C轴择优取向AlN薄膜的制备第24-27页
   ·C轴倾斜AlN薄膜的制备与表征第27-32页
     ·C轴倾斜AlN薄膜的制备方法第27-28页
     ·两步气压法制备C轴倾斜AlN薄膜及其表征第28-30页
     ·C轴倾斜AlN薄膜的TEM分析第30-32页
   ·本章小结第32-33页
第四章 FBAR传感器的制备工艺与性能分析第33-46页
   ·SMR型谐振器制备工艺第33-39页
     ·布拉格声反射层的原理第33-35页
     ·布拉格声反射层的制备与表征第35-38页
     ·SMR型FBAR谐振器制备工艺流程第38-39页
   ·FBAR质量传感器性能分析第39-45页
     ·FBAR传感器测试单元第39-40页
     ·以Pt为底电极的SMR型传感器的频率特性第40-43页
     ·以Mo为底电极的SMR型传感器的频率特性第43-45页
   ·本章小结第45-46页
第五章 总结与展望第46-48页
   ·论文工作总结第46-47页
   ·论文的不足之处和下一步工作展望第47-48页
参考文献第48-53页
附录 研究生期间发表的学术论文第53-54页
致谢第54页

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