AIN薄膜体声波质量传感器的研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-8页 |
目录 | 第8-10页 |
第一章 绪论 | 第10-15页 |
·FBAR质量传感器国内外研究现状 | 第11-13页 |
·适用于FBAR压电材料的选择 | 第13-14页 |
·论文的研究目的、主要内容和结构安排 | 第14-15页 |
第二章 FBAR传感器的结构和工作原理 | 第15-21页 |
·薄膜体声波谐振器理论基础 | 第15-17页 |
·压电效应 | 第15-16页 |
·压电薄膜的振动模式 | 第16-17页 |
·FBAR传感器基本工作原理 | 第17-18页 |
·FBAR传感器的结构 | 第18-20页 |
·本章小结 | 第20-21页 |
第三章 FBAR中AlN压电薄膜的制备和表征 | 第21-33页 |
·薄膜制备技术 | 第21-22页 |
·AlN薄膜的表征方法 | 第22-24页 |
·C轴择优取向AlN薄膜的制备 | 第24-27页 |
·C轴倾斜AlN薄膜的制备与表征 | 第27-32页 |
·C轴倾斜AlN薄膜的制备方法 | 第27-28页 |
·两步气压法制备C轴倾斜AlN薄膜及其表征 | 第28-30页 |
·C轴倾斜AlN薄膜的TEM分析 | 第30-32页 |
·本章小结 | 第32-33页 |
第四章 FBAR传感器的制备工艺与性能分析 | 第33-46页 |
·SMR型谐振器制备工艺 | 第33-39页 |
·布拉格声反射层的原理 | 第33-35页 |
·布拉格声反射层的制备与表征 | 第35-38页 |
·SMR型FBAR谐振器制备工艺流程 | 第38-39页 |
·FBAR质量传感器性能分析 | 第39-45页 |
·FBAR传感器测试单元 | 第39-40页 |
·以Pt为底电极的SMR型传感器的频率特性 | 第40-43页 |
·以Mo为底电极的SMR型传感器的频率特性 | 第43-45页 |
·本章小结 | 第45-46页 |
第五章 总结与展望 | 第46-48页 |
·论文工作总结 | 第46-47页 |
·论文的不足之处和下一步工作展望 | 第47-48页 |
参考文献 | 第48-53页 |
附录 研究生期间发表的学术论文 | 第53-54页 |
致谢 | 第54页 |