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基于65纳米工艺高性能低功耗SRAM全定制设计

摘要第1-11页
ABSTRACT第11-12页
第一章 绪论第12-18页
   ·课题研究背景第12-14页
     ·SRAM 的发展方向第12-13页
     ·SRAM 面临的挑战第13-14页
   ·SRAM 的研究现状第14-15页
     ·相关研究第14页
     ·国内外发展状况第14-15页
   ·本文的主要工作第15-17页
   ·论文的组织结构第17-18页
第二章 SRAM 概述、设计需求以及设计方案第18-33页
   ·65nm 下工艺参数变化对SRAM 的影响第18-21页
     ·SRAM 存储单元失效机制第19-20页
     ·SRAM 存储单元失效机制对策第20-21页
   ·高速低功耗SRAM 技术第21-23页
     ·低功耗SRAM 设计第21-22页
     ·高速SRAM 设计第22-23页
   ·X 处理器Cache 中的SRAM 及设计需求第23-25页
     ·X 处理器Cache 中的SRAM第23-24页
     ·同步双端口SRAM 的设计需求第24-25页
   ·SRAM 设计方案第25-28页
     ·SRAM 的设计目标第25-26页
     ·SRAM 的设计步骤第26页
     ·SRAM 的具体实现第26-28页
   ·同步双端口SRAM 具体规划第28-32页
     ·SRAM 总体结构第28-29页
     ·同步双端口SRAM 读写过程第29-32页
   ·本章小结第32-33页
第三章 同步双端口SRAM 的电路设计第33-57页
   ·全定制设计技术第33-35页
     ·全定制设计流程第33-35页
     ·全定制设计工具第35页
   ·低功耗SRAM 的整体结构设计第35-38页
   ·存储阵列设计第38-41页
     ·存储单元的存值结构第38-39页
     ·单元尺寸的调整策略第39-41页
     ·模拟结果第41页
   ·译码器设计第41-45页
     ·静动态译码器的比较第42-43页
     ·读写译码器的电路设计第43-44页
     ·模拟结果第44-45页
   ·低功耗灵敏放大器电路的设计第45-52页
     ·敏感放大器的分类第46-47页
     ·电流模式信号和电压模式信号在长线上的延迟分析第47-49页
     ·电流模式敏感放大器的设计和模拟第49-52页
   ·比较电路设计与输出逻辑电路第52-54页
     ·比较电路的设计思想第52-53页
     ·输出逻辑电路第53-54页
   ·电路延时优化第54-56页
   ·本章总结第56-57页
第四章 同步双端口的SRAM 版图设计第57-72页
   ·层次化全定制版图设计第57-59页
     ·版图设计流程第57-58页
     ·版图设计技巧第58-59页
   ·SRAM 设计布局布线策略第59-62页
   ·SRAM 版图设计第62-65页
     ·存储单元版图设计第62-63页
     ·存储子阵列版图第63页
     ·预充电路版图第63-64页
     ·译码电路版图第64页
     ·灵敏放大器版图第64-65页
     ·总体版图结构第65页
   ·寄生参数效应及优化第65-71页
     ·连线的RC 延迟及优化第66-68页
     ·IR drop 问题及优化第68-69页
     ·串扰问题及优化第69-71页
   ·本章总结第71-72页
第五章 同步双端口的SRAM 模拟和验证第72-87页
   ·版图验证第72-74页
     ·DRC 和ERC 的验证第72-73页
     ·LVS 验证第73页
     ·寄生参数的提取第73-74页
   ·电路和版图模拟第74-80页
     ·HSPICE 模拟第75-76页
     ·SRAM 版图全局模拟第76-80页
   ·SRAM 相关视图创建与分析第80-86页
     ·物理视图的提取第81-82页
     ·时序模型的建立第82-86页
   ·本章总结第86-87页
第六章 结束语第87-89页
   ·课题工作总结第87-88页
   ·未来工作展望第88-89页
致谢第89-90页
参考文献第90-93页
攻读硕士期间发表的论文第93页

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