| 摘要 | 第1-11页 |
| ABSTRACT | 第11-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-29页 |
| §1.1 纳米材料 | 第16-20页 |
| §1.2 低维BN纳米材料 | 第20-27页 |
| ·一维BN纳米管 | 第20-24页 |
| ·一维BN纳米线 | 第24-25页 |
| ·二维BN纳米片 | 第25-27页 |
| §1.3 半金属铁磁材料 | 第27-29页 |
| 第二章 理论基础 | 第29-43页 |
| §2.1 多电子体系的薛定谔方程 | 第29-32页 |
| ·非相对论近似 | 第30-31页 |
| ·Born-Oppenheimer近似 | 第31页 |
| ·轨道近似 | 第31-32页 |
| §2.2 密度泛函理论 | 第32-36页 |
| §2.3 基函和赝势 | 第36-39页 |
| §2.4 交换-关联能函数近似 | 第39-41页 |
| §2.5 CASTEP与DMol~3软件包功能特点 | 第41-43页 |
| ·CASTEP软件包功能特点 | 第41页 |
| ·DMol~3软件包功能特点 | 第41-43页 |
| 第三章 过渡金属掺入BN纳米管的电子结构和磁学性质 | 第43-50页 |
| §3.1 引言 | 第43-45页 |
| §3.2 计算模型和方法 | 第45页 |
| §3.3 结果与讨论 | 第45-49页 |
| ·几何结构 | 第45-46页 |
| ·掺杂过渡金属体系的电子结构 | 第46-49页 |
| §3.4 本章总结 | 第49-50页 |
| 第四章 V原子替位掺入BN纳米线的电子结构和磁学性质 | 第50-60页 |
| §4.1 引言 | 第50-52页 |
| §4.2 计算模型和参数 | 第52-53页 |
| §4.3 结果与计论 | 第53-58页 |
| ·纯净BN纳米线的性质 | 第53-55页 |
| ·掺入V的BN纳米线的电子结构 | 第55-57页 |
| ·掺入V原子的BN纳米线的自旋磁矩 | 第57-58页 |
| §4.4 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 单轴应力和外电场对BN纳米管电子结构的影响 | 第60-70页 |
| §5.1 引言 | 第60-61页 |
| §5.2 计算模型和方法 | 第61-62页 |
| §5.3 计算结果和讨论 | 第62-68页 |
| ·单轴应力对BN纳米管的影响 | 第62-63页 |
| ·电场对BN纳米管性质的影响 | 第63-68页 |
| §5.4 本章总结 | 第68-70页 |
| 第六章 二维层状BN纳米片的电子结构和磁学性质研究 | 第70-82页 |
| §6.1 引言 | 第70-71页 |
| §6.2 单层BN纳米片的电子结构和磁学性质 | 第71-76页 |
| ·单层BN纳米片在应力作用下的电子结构 | 第71-72页 |
| ·单C掺入单层BN纳米片的电子结构 | 第72-73页 |
| ·双C原子掺杂单层BN片的电子结构和磁学性质 | 第73-76页 |
| §6.3 双层BN纳米片的电子结构调制 | 第76-81页 |
| ·纯净双层BN片的电子结构 | 第78-79页 |
| ·电场对双层BN纳米片电子结构的调制 | 第79-81页 |
| §6.4 本章总结 | 第81-82页 |
| 第七章 总结与展望 | 第82-85页 |
| §7.1 总结 | 第82-83页 |
| §7.2 展望 | 第83-85页 |
| 致谢 | 第85-86页 |
| 参考文献 | 第86-95页 |
