| 摘要 | 第1-9页 |
| ABSTRACT | 第9-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| ·引言 | 第11-12页 |
| ·硅纳米线研究现状 | 第12-19页 |
| ·激光烧蚀法 | 第13-15页 |
| ·化学气相沉积(CVD)法 | 第15-16页 |
| ·热蒸发法 | 第16-17页 |
| ·蚀刻法 | 第17-18页 |
| ·溶液法 | 第18-19页 |
| ·硅纳米线生长机理研究 | 第19-21页 |
| ·气-液-固(vapour-liquid-solid,VLS)生长模型 | 第19页 |
| ·氧化物辅助生长模型 | 第19-20页 |
| ·固-液-固(SLS)生长模型 | 第20-21页 |
| ·硅纳米管研究现状 | 第21-24页 |
| ·硅纳米管理论研究 | 第21页 |
| ·硅纳米管的制备工艺 | 第21-24页 |
| ·硅纳米线物理性能研究 | 第24-26页 |
| ·光致发光性能 | 第24-25页 |
| ·拉曼光谱性能 | 第25-26页 |
| ·硅纳米线性能及应用 | 第26-27页 |
| ·纳米传感器 | 第26页 |
| ·晶体管 | 第26页 |
| ·场发射显示屏等场发射器件 | 第26-27页 |
| ·纳米光电器件 | 第27页 |
| ·其他应用 | 第27页 |
| ·本论文的意义及研究内容 | 第27-31页 |
| ·选题意义 | 第27-28页 |
| ·主要研究内容 | 第28-31页 |
| 第二章 实验工艺与研究方法 | 第31-37页 |
| ·实验方案 | 第31-32页 |
| ·实验原料及仪器 | 第32-33页 |
| ·实验原料 | 第32页 |
| ·实验仪器 | 第32-33页 |
| ·分析测试方法 | 第33-37页 |
| ·透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜 | 第33页 |
| ·X-射线衍射仪 | 第33-34页 |
| ·场发射扫描电子显微镜 | 第34页 |
| ·能谱分析仪 | 第34页 |
| ·比表面及孔隙分析仪 | 第34页 |
| ·光致发光光谱 | 第34-35页 |
| ·阴极发光光谱分析仪 | 第35页 |
| ·拉曼光谱仪 | 第35-37页 |
| 第三章 硅纳米管、线的制备及分析表征 | 第37-47页 |
| ·引言 | 第37-38页 |
| ·实验设计与工艺过程 | 第38-40页 |
| ·实验设计 | 第38页 |
| ·实验工艺流程 | 第38-40页 |
| ·测试结果与讨论 | 第40-45页 |
| ·XRD图谱分析 | 第40-41页 |
| ·场发射扫描电镜分析 | 第41页 |
| ·透射电镜及能谱分析 | 第41-44页 |
| ·硅纳米线、纳米管的典型TEM图像 | 第41-42页 |
| ·硅纳米管的特征生长结构的TEM图像 | 第42-43页 |
| ·选区电子衍射及能谱分析 | 第43-44页 |
| ·孔径及比表面分析 | 第44-45页 |
| ·本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 工艺过程控制 | 第47-57页 |
| ·实验方案设计 | 第47-48页 |
| ·反应温度的影响 | 第48-50页 |
| ·保温时间的影响 | 第50-54页 |
| ·XRD图谱分析 | 第50-51页 |
| ·不同工艺下TEM形貌分析 | 第51-54页 |
| ·反应配比的影响 | 第54-55页 |
| ·小结 | 第55-57页 |
| 第五章 生长机理分析及光学性能研究 | 第57-67页 |
| ·前言 | 第57-58页 |
| ·生长机理分析 | 第58-61页 |
| ·反应及基体形成过程 | 第58-60页 |
| ·硅纳米线管生长过程分析 | 第60-61页 |
| ·光学性能研究 | 第61-65页 |
| ·光致发光 | 第61-63页 |
| ·阴极发光 | 第63页 |
| ·拉曼光谱 | 第63-65页 |
| ·小结 | 第65-67页 |
| 第六章 结论 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-77页 |
| 致谢 | 第77-79页 |
| 攻读硕士学位期间发表论文情况 | 第79-80页 |
| 学位论文评阅及答辩情况表 | 第80页 |