| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-8页 |
| 第1章 绪论 | 第8-16页 |
| ·课题背景 | 第8-9页 |
| ·电阻型气体敏感材料研究现状 | 第9-15页 |
| ·引言 | 第9-10页 |
| ·气敏材料领域研究热点——MOS 气敏材料 | 第10-12页 |
| ·MOS 气敏材料中的主角——SnO_2 | 第12-13页 |
| ·准一维结构为MOS 气敏材料带来的改变 | 第13-14页 |
| ·基于准一维结构及MWCNTs 的新思路——SnO_2/MWNTs | 第14-15页 |
| ·课题的研究目的和研究内容 | 第15-16页 |
| 第2章 实验方法 | 第16-19页 |
| ·材料制备方法 | 第16-17页 |
| ·多元醇方法介绍 | 第16页 |
| ·聚羟基乙酸盐制备方法及晶格掺杂和包覆的实现 | 第16-17页 |
| ·制备使用的各类化学试剂及主要设备 | 第17页 |
| ·分析测试方法 | 第17-19页 |
| ·物相分析及形貌观察 | 第17-18页 |
| ·氢气敏感实验方法 | 第18-19页 |
| 第3章 SnO_2的阳离子晶格掺杂 | 第19-40页 |
| ·多元醇方法制备SnO_2 纳米晶 | 第19-25页 |
| ·聚羟基乙酸锡的制备与热解 | 第19-22页 |
| ·聚羟基乙酸锡的溶解与水解 | 第22-25页 |
| ·多元醇方法制备Fe 离子晶格掺杂SnO_2 | 第25-34页 |
| ·In(Ⅲ)掺杂SnO_2 的尝试 | 第34-39页 |
| ·草酸铟的制备 | 第34-36页 |
| ·草酸铟(Ⅲ)在EG 中的化学反应 | 第36页 |
| ·In 离子晶格掺杂SnO_2的尝试 | 第36-39页 |
| ·本章小结 | 第39-40页 |
| 第4章 阳离子晶格掺杂SnO_2包覆MWCNTs | 第40-54页 |
| ·多元醇方法制备SnO_2包覆MWCNTs | 第40-49页 |
| ·Fe 离子晶格掺杂SnO_2包覆MWCNTs | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第5章 氢敏特性研究 | 第54-64页 |
| ·多元醇方法制备的SnO_2纳米晶的气敏特性 | 第54-57页 |
| ·SnO_2纳米晶包覆MWCNTs 的室温低浓度氢敏特性 | 第57-60页 |
| ·Fe 离子晶格掺杂SnO_2纳米晶包覆MWCNTs 的氢敏特性 | 第60-63页 |
| ·本章小结 | 第63-64页 |
| 结论 | 第64-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
