固态开关串联型纳秒级上升时间功率脉冲发生技术的研究
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-15页 |
| ·功率脉冲技术概述 | 第9页 |
| ·功率脉冲技术的应用 | 第9-11页 |
| ·功率脉冲技术在净化工业废气中的应用 | 第10页 |
| ·功率脉冲技术在液体食品杀菌中的应用 | 第10-11页 |
| ·功率脉冲技术的发展 | 第11-13页 |
| ·功率脉冲技术的发展 | 第11-12页 |
| ·功率脉冲技术存在的关键问题 | 第12-13页 |
| ·本文的研究意义、内容及目标 | 第13-15页 |
| ·本文的研究意义 | 第13-14页 |
| ·本文的研究内容及目标 | 第14-15页 |
| 第2章 脉冲功率电源的基本组成原理 | 第15-24页 |
| ·一般功率脉冲源系统的方案 | 第15页 |
| ·纳秒级上升沿功率脉冲电源设计概述 | 第15-16页 |
| ·高压直流的获取 | 第16-19页 |
| ·桥式整流法 | 第16页 |
| ·倍压整流法 | 第16-18页 |
| ·PWM整流法 | 第18页 |
| ·本节小结 | 第18-19页 |
| ·储能系统 | 第19页 |
| ·开关组合形式 | 第19-22页 |
| ·开关组合在脉冲电源研制中的重要地位 | 第19-20页 |
| ·开关器件的一般形式 | 第20-22页 |
| ·本节小结 | 第22页 |
| ·功率脉冲电源的设计方案 | 第22-23页 |
| ·本章小结 | 第23-24页 |
| 第3章 纳秒级前沿功率脉冲电源的设计 | 第24-38页 |
| ·倍压整流电路 | 第24-25页 |
| ·倍压整流电路的实现 | 第24页 |
| ·脉动系数的计算 | 第24-25页 |
| ·功率MOSFET特性研究 | 第25-28页 |
| ·功率MOSFET的工作特性 | 第25-26页 |
| ·影响MOSFET通断速度的原因分析 | 第26-28页 |
| ·MOSFET的串联组合形式 | 第28-32页 |
| ·MOSFET的串联形式存在的问题及解决办法 | 第29-30页 |
| ·电路参数的设计 | 第30-31页 |
| ·MOSFET的过电压保护电路 | 第31-32页 |
| ·MOSFET的驱动电路 | 第32-37页 |
| ·驱动芯片的选择 | 第33-34页 |
| ·驱动电路的设计 | 第34-35页 |
| ·隔离电路的设计 | 第35-37页 |
| ·高压快前沿功率脉冲电源的总体设计方案 | 第37页 |
| ·本章小结 | 第37-38页 |
| 第4章 纳秒级上升沿功率脉冲电路的仿真研究 | 第38-49页 |
| ·倍压整流电路的仿真研究 | 第38-39页 |
| ·MOSFET的单管导通研究 | 第39-42页 |
| ·不同驱动电压的MOSFET导通情况 | 第39-41页 |
| ·不同驱动前沿的MOSFET导通情况 | 第41-42页 |
| ·MOSFET的瞬态过电压保护电路仿真 | 第42-44页 |
| ·MOSFET多管串联电路仿真 | 第44-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第5章 纳秒级上升沿功率脉冲电路的实验研究 | 第49-56页 |
| ·高压直流电源实验 | 第49-50页 |
| ·驱动信号波形 | 第50-51页 |
| ·MOSFET单管导通实验 | 第51-53页 |
| ·MOSFET单管导通实验 | 第51-52页 |
| ·MOSFET加速导通办法的测试 | 第52-53页 |
| ·MOSFET多管串联测试 | 第53-54页 |
| ·高压快前沿功率脉冲电源的输出脉冲测试 | 第54-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 结论 | 第56-57页 |
| 参考文献 | 第57-60页 |
| 附录 1 IRF840 参数表 | 第60-62页 |
| 附录 2 IR2110 参数表 | 第62-66页 |
| 附录 3 高压快前沿脉冲电源电路 | 第66-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |
