引言 | 第1-9页 |
第一章 ZnO薄膜研究现状和进展 | 第9-14页 |
·ZnO材料研究现状和未来趋势 | 第9-10页 |
·氧化锌薄膜的应用前景 | 第10-12页 |
·制作紫外光探测器 | 第10页 |
·可与GaN互作缓冲层 | 第10-11页 |
·用于光电器件的单片集成 | 第11页 |
·制作表面声波器件 | 第11-12页 |
·本论文研究内容 | 第12-13页 |
参考文献 | 第13-14页 |
第二章 ZnO薄膜的基本性质和制备方法 | 第14-25页 |
·ZnO薄膜的基本性质 | 第14-19页 |
·ZnO薄膜的晶体结构和晶体形貌 | 第14-15页 |
·ZnO薄膜的光电性质 | 第15-16页 |
·ZnO薄膜的磁学性质 | 第16-17页 |
·ZnO薄膜的气敏性质 | 第17-18页 |
·ZnO薄膜的压敏性质 | 第18-19页 |
·ZnO薄膜的压电性质 | 第19页 |
·ZnO薄膜的制备 | 第19-23页 |
·锌膜氧化法 | 第20页 |
·溅射法 | 第20-21页 |
·脉冲激光沉积法 | 第21页 |
·溶胶凝胶法 | 第21-22页 |
·喷射热分解法 | 第22-23页 |
参考文献 | 第23-25页 |
第三章 Zn_(0.85-x)Co_(0.075)Fe_(0.075)Cu_xO薄膜样品制备与测试 | 第25-38页 |
·实验设备简述 | 第25-26页 |
·电子束溅射仪 | 第25页 |
·蒸发源类型 | 第25-26页 |
·样品制备过程 | 第26-27页 |
·靶材制备 | 第26-27页 |
·基片清洗 | 第27页 |
·真空镀膜 | 第27页 |
·制备工艺影响成膜质量的因素 | 第27-29页 |
·样品的测试 | 第29-36页 |
·结构测试 | 第29-32页 |
·形貌测试 | 第32-34页 |
·磁性测量 | 第34-36页 |
·光致发光谱测量 | 第36页 |
·薄膜样品编号 | 第36-37页 |
参考文献 | 第37-38页 |
第四章 Zn_(0.85-x)Co_(0.075)Fe_(0.075)Cu_xO薄膜结构与形貌分析 | 第38-50页 |
·结构分析和研究 | 第38-46页 |
·不同衬底类型对薄膜结晶状况的影响 | 第38-39页 |
·不同衬底温度对薄膜结晶状况的影响 | 第39-40页 |
·衬底温度对薄膜晶粒尺寸和衍射峰的影响 | 第40-42页 |
·氧分压比K对薄膜结晶状况的影响 | 第42-43页 |
·退火温度对薄膜结晶状况的影响 | 第43-45页 |
·Cu掺杂含量对薄膜结晶状况的影响 | 第45页 |
·沉积速率对薄膜结晶状况的影响 | 第45-46页 |
·形貌分析和研究 | 第46-49页 |
·不同衬底类型的薄膜形貌分析和研究 | 第46-47页 |
·硅衬底不同温度的薄膜形貌分析和研究 | 第47-49页 |
·本章小结 | 第49页 |
参考文献 | 第49-50页 |
第五章 Zn_(0.85-x)Co_(0.075)Fe_(0.075)Cu_xO薄膜磁性能与光学性质研究 | 第50-61页 |
·磁性分析和研究 | 第50-54页 |
·稀磁半导体 | 第50-51页 |
·外磁场平行于膜面和垂直于膜面的磁性分析 | 第51-52页 |
·不同Cu含量磁性能分析 | 第52-54页 |
·光致发光特性分析和研究 | 第54-59页 |
·紫光光致发光特性分析和研究 | 第54-55页 |
·光致发光谱蓝移分析和研究 | 第55-57页 |
·红光光致发光性质特性和研究 | 第57-59页 |
·本章小结 | 第59-60页 |
参考文献 | 第60-61页 |
第六章 结论 | 第61-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
攻读硕士学位期间发表论文目录 | 第63页 |